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Module IGBT 1700V

Module IGBT 1700V

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GD75PFX170C6SG,Module IGBT,STARPOWER

1700V 75A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD75PFX170C6SG
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1700V 75A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Unité de mesure de la pression

Le symbole

Description

Valeurs

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

139

75

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

150

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T vj = 175 o C

559

Le

Déplacement de diode

Le symbole

Description

Valeurs

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

1700

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

75

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

150

Une

Diode-redresseur

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

2000

V. Le groupe

Je o

Courant de sortie moyen 5 0Hz/60Hz, onde sinusoïdale

75

Une

Je Le FSM

Courant de pointe P =10ms @ T vj = 25o C @ T vj = 150 o C

1440

1206

Une

Je 2t

Je 2t-valeur,t P =10ms @ T vj = 25 o C @ T vj = 150 o C

10368

7272

Une 2s

Module

Le symbole

Description

valeur

unité

t vjmax

Température maximale de la jonction (inversor) Température maximale de la jonction (redresseur)

175

150

o C

t vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

4000

V. Le groupe

L'IGBT -Invertisseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 25 o C

1.85

2.20

V. Le groupe

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 125 o C

2.25

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 150 o C

2.35

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =3.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t vj = 25 o C

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t vj = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

8.5

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

9.03

NF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.22

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V

0.71

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =75A, R g =6,8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, L s =46 NH ,t vj = 25 o C

236

N.S.

t R

Il est temps de monter.

42

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

356

N.S.

t F

Temps d'automne

363

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

17.3

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

11.7

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =75A, R g =6,8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, L s =46 NH ,t vj = 125 o C

252

N.S.

t R

Il est temps de monter.

48

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

420

N.S.

t F

Temps d'automne

485

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

27.1

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

16.6

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =75A, R g =6,8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, L s =46 NH ,t vj = 150 o C

275

N.S.

t R

Il est temps de monter.

50

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

432

N.S.

t F

Temps d'automne

524

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

27.9

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

17.7

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t vj = 150 o C ,V. Le groupe CC =1000V

,

V. Le groupe MEC ≤ 1700V

300

Une

Diode -Invertisseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.80

2.25

V. Le groupe

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj =12 5o C

1.90

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V Généralement générés =-15V L s =46 NH ,t vj = 25 o C

10.3

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

84

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

7.44

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V L s =46 NH ,t vj = 125 o C

20.5

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

87

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

16.1

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V Généralement générés =-15V L s =46 NH ,t vj = 150 o C

22.5

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

97

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

19.2

Je suis désolé.

Diode -redresseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je C =75A, t vj = 150 o C

0.95

V. Le groupe

Je R

Courant inverse

t vj = 150 o C ,V. Le groupe R =2000V

3.0

Le nombre de

NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

R 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de R 100

t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.

3375

k

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.

3411

k

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.

3433

k

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

R le CJJ

Réservoir -à -cas (parIGBT -Invertisseur ) Jonction-à-Boîtier (par DIODE-onduleur er) Junction-to-Case (par Diode-rectif ieur)

0.268 0.481 0.289

Pour les produits de base

R thCH

cas -à -Disjoncteur (parIGBT -Invertisseur )Case-to-Heatsink (par Diode-i nverseur) Case-to-Heatsink (par Diode-re ctifieur) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.106 0.190 0.114 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur

3.0

6.0

N.m.

g

Poids de Module

300

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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