GD75HFX170C1S,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

136

75

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

150

Une

P d

Le montant maximal Puissance Dissipation @ t vj = 175 o C

539

Le

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

1700

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

75

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

150

Une

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 25 o C

1.85

2.20

V. Le groupe

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 125 o C

2.25

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 150 o C

2.35

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =3.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t vj = 25 o C

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t vj = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

8.5

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

9.03

NF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.22

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V

0.71

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =75A, R g =6,8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS = 60 NH ,t vj = 25 o C

237

N.S.

t R

Il est temps de monter.

59

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

314

N.S.

t F

Temps d'automne

361

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

25.0

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

9.5

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =75A, R g =6,8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS = 60 NH ,t vj = 125 o C

254

N.S.

t R

Il est temps de monter.

70

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

383

N.S.

t F

Temps d'automne

524

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

33.3

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

15.1

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =75A, R g =6,8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS = 60 NH ,t vj = 150 o C

257

N.S.

t R

Il est temps de monter.

75

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

396

N.S.

t F

Temps d'automne

588

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

36.9

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

16.6

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t vj = 150 o C ,V. Le groupe CC =1000V

V. Le groupe MEC ≤ 1700V

300

Une

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.80

2.25

V. Le groupe

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj =12 5o C

1.90

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V Généralement générés =-15V LS = 60 NH ,t vj = 25 o C

16.4

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

58

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

7.2

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V Généralement générés =-15V LS = 60 NH ,t vj = 125 o C

30.8

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

64

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

15.8

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V Généralement générés =-15V LS = 60 NH ,t vj = 150 o C

31.4

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

64

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

18.2

Je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

L CE

Inductivité de déplacement

30

NH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.65

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.278 0.467

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.160 0.268 0.050

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

g

Poids de Module

150

g