GD750HFA120C6S,Module IGBT,STARPOWER

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 800A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Température maximale de la jonction 175 ℃
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Véhicule hybride et électrique
Invertisseurs pour moteur
Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole	Description	Valeurs	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 100 o C	750	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	1500	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T vj = 175 o C	3125	Le

Diode

Le symbole	Description	Valeurs	unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive Âge	1200	V. Le groupe
Je F	Diode courant continu avant Cu Rente	900	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	1500	Une
Je Le FSM	Courant de pointe P =10ms @ T vj = 25o C @ T vj = 150 o C	3104 2472	Une
Je 2t	Je 2t- valeur ,t P =10 MS @ t vj = 25 o C @ T vj = 150 o C	48174 30554	Une 2s

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t vjmax	Température maximale de jonction	175	o C
t vjop	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
t GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute	4000	V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =750A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 25 o C		1.35	1.85	V. Le groupe
		Je C =750A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 125 o C		1.55
		Je C =750A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 175 o C		1.55
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =24.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t vj = 25 o C	5.5	6.3	7.0	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t vj = 25 o C			1.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t vj = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance interne de la porte			0.5		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		85.2		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.45		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V		6.15		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =750A, R g =0.5Ω, V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, L s =40 NH ,t vj = 25 o C		238		N.S.
t R	Il est temps de monter.			76		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			622		N.S.
t F	Temps d'automne			74		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			68.0		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			52.8		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =750A, R g =0.5Ω, V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, L s =40 NH ,t vj = 125 o C		266		N.S.
t R	Il est temps de monter.			89		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			685		N.S.
t F	Temps d'automne			139		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			88.9		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			67.4		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =750A, R g =0.5Ω, V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, L s =40 NH ,t vj = 175 o C		280		N.S.
t R	Il est temps de monter.			95		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			715		N.S.
t F	Temps d'automne			166		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			102		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			72.7		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤8μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t vj = 150 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V		2500		Une
Je SC	Données SC	t P ≤6μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t vj = 175 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V		2400		Une

Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =750A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C		1.60	2.05	V. Le groupe
		Je F =750A,V Généralement générés =0V,T vj = 125 o C		1.65
		Je F =750A,V Généralement générés =0V,T vj = 175 o C		1.65
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =600V,I F =750A, -di/dt=6500A/μs,V Généralement générés =-8V, L s =40 NH ,t vj = 25 o C		79.7		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			369		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			23.3		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =600V,I F =750A, -di/dt=5600A/μs,V Généralement générés =-8V, L s =40 NH ,t vj = 125 o C		120		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			400		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			39.5		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =600V,I F =750A, -di/dt=5200A/μs,V Généralement générés =-8V, L s =40 NH ,t vj = 175 o C		151		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			423		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			49.7		Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
R 25	Résistance nominale			5.0		KΩ
∆R/R	Déviation de R 100	t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	MW
B 25 à 50%	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.		3375		k
B 25/80	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.		3411		k
B 25/100	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.		3433		k

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
L CE	Inductivité de déplacement		20		NH
R CC+EE	Résistance au plomb du module, terminal à la puce		0.80		mΩ
R le CJJ	Réservoir -à -cas (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)			0.048 0.088	Pour les produits de base
R thCH	cas -à -Disjoncteur (parIGBT )Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		0.028 0.051 0.009		Pour les produits de base
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
g	Poids de Module		350		g