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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD720HTA120P6HLT,Module IGBT,STARPOWER

1200V 720A Package:P6

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD720HTA120P6HLT
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 720A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Faibles pertes de commutation
  • Capacité de court-circuit de 4μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de jonction 175oC
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Baseplate en pinfin en cuivre isolé utilisant la technologie Si3N4AMB

Applications Typiques

  • Application automobile
  • Véhicule hybride et électrique
  • Invertisseurs pour moteur

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Valeurs

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté Rente

720

Une

Je C

Courant collecteur @ T F =65 o C

600

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

1440

Une

P d

Dissipation de puissance maximale Le projet @ t F =75 o C t vj = 175 o C

1204

Le

Diode

Le symbole

Description

Valeurs

unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pic répétitif Généralement générés

1200

V. Le groupe

Je FN

Collecteur Cu implémenté Rente

720

Une

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

600

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

1440

Une

Module

Le symbole

Description

valeur

unité

t vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

t vjop

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pour 10s dans une période de 30s, occurrence maximum 3000 fois sur la durée de vie moi

-40 à +150 +150 à +175

o C

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 25 o C

1.50

V. Le groupe

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 150 o C

1.80

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 175 o C

1.85

Je C =720A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 25 o C

1.60

Je C =720A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 175 o C

2.05

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte Tension

Je C = 15,6 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t vj = 25 o C

6.0

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t vj = 25 o C

1.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t vj = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

1.67

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

48.7

NF

C oes

Capacité de sortie

1.55

NF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.26

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe CE =800V,I C = 600A, V Généralement générés =-8... +15V

3.52

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L s =24nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, t vj = 25 o C

208

N.S.

t R

Il est temps de monter.

65

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

505

N.S.

t F

Temps d'automne

104

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

77.7

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

62.2

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L s =24nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, t vj = 150 o C

225

N.S.

t R

Il est temps de monter.

75

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

567

N.S.

t F

Temps d'automne

191

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

110

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

83.4

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L s =24nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, t vj = 175 o C

226

N.S.

t R

Il est temps de monter.

77

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

583

N.S.

t F

Temps d'automne

203

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

118

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

85.9

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤4μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t vj = 175 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

2600

Une

Diode Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.95

V. Le groupe

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T vj = 150 o C

1.95

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T vj = 175 o C

1.90

Je F =720A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

2.05

Je F =720A,V Généralement générés =0V,T vj = 175 o C

2.05

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =800V,I F =600A,

-di/dt=8281A/μs, L s =24n H, V. Le groupe Généralement générés =-8V, t vj = 25 o C

44.3

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

346

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

16.2

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =800V,I F =600A,

-di/dt=6954A/μs, L s =24n H, V. Le groupe Généralement générés =-8V, t vj = 150 o C

73.4

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

385

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

27.8

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =800V,I F =600A,

-di/dt=6679A/μs, L s =24n H, V. Le groupe Généralement générés =-8V, t vj = 175 o C

80.7

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

392

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

30.7

Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

R 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de R 100

t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.

3375

k

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.

3411

k

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.

3433

k

Module Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

L CE

Inductivité de déplacement

8

NH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.75

P

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

t plaque de base <40 o C

t plaque de base >40 o C

(pression relative)

2.5 2.0

Barre

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Fluide (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par Di (voir aussi V/ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 o C

0.072 0.104

0.083 0.120

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

g

Poids de Module

750

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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