Module IGBT 1700V

GD650HFX170P1S,Module IGBT,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Introduction
Le schéma

Introduction

Brève introduction action

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1700V 650A

CARACTÉRISTIQUES

Faible V CE (assis ) Tranchée L'IGBT TECHNOLOGIE
10 μs Capab de court-circuit l'égalité
V. Le groupe CE (assis ) avec positifs Température coefficient
Le montant maximal température de jonction 175o C
Diode agrandie pour régénératif Fonctionnement
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Capacité de puissance élevée et de cyclage thermique ité

Typique APPLICATIONS

Convertisseur de haute puissance
Énergie éolienne et solaire
Entraînement de traction

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 o C à moins Autrement Remarque

L'IGBT

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1700	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100o C	1073 650	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	1300	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C	4.2	KW

Diode

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Voltage inverse de pointe répétitif	1700	V. Le groupe
Je F	Diode à dérive continue le loyer	650	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	1300	Une

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t jmax	Température maximale de jonction	175	o C
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
t GST	Température de stockage Autonomie	-40 à +150	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= Une minute.	4000	V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =650A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.90	2.35	V. Le groupe
		Je C =650A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		2.35
		Je C =650A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C		2.45
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =24.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance à la porte interne ance			2.3		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		72.3		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			1.75		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15...+15V		5.66		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V. Le groupe Généralement générés =±15V,T j = 25 o C		468		N.S.
t R	Il est temps de monter.			86		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			850		N.S.
t F	Temps d'automne			363		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			226		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			161		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V. Le groupe Généralement générés =±15V,T j = 125o C		480		N.S.
t R	Il est temps de monter.			110		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			1031		N.S.
t F	Temps d'automne			600		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			338		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			226		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V. Le groupe Généralement générés =±15V,T j = 150o C		480		N.S.
t R	Il est temps de monter.			120		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			1040		N.S.
t F	Temps d'automne			684		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			368		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			242		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C,V CC = un débit de tension de 1000 V, V. Le groupe MEC ≤ 1700V		2600		Une

Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =650A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.85	2.30	V. Le groupe
		Je F =650A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C		1.98
		Je F =650A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C		2.02
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 25 o C		176		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			765		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			87.4		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 125o C		292		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			798		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			159		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 150o C		341		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			805		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			192		Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
R 25	Résistance nominale			5.0		KΩ
ΔR/R	Déviation de R 100	t C = 100 o C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	MW
B 25 à 50%	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.		3375		k
B 25/80	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.		3411		k
B 25/100	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.		3433		k

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
L CE	Inductivité de déplacement		18		NH
R CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		0.30		mΩ
R le CJJ	Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)			35.8 71.3	K/kW
R thCH	Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		13.5 26.9 4.5		K/kW
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Connexion Terminal Couple, Vire M8 Le couple de montage Vire M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.m.
g	Poids de Module		810		g