1700V 650A
Brève introductionaction
Module IGBT, produit par STARPOWER. 1700V 650A
Caractéristiques
Typique Applications
- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation tC= 25oC à moins Autrement Remarque
L'IGBT
Le symbole | Description | valeur | unité |
V. Le groupeLe CES | Voltage du collecteur-émetteur | 1700 | V. Le groupe |
V. Le groupeGES | Voltage de l'émetteur de la porte | ± 20 | V. Le groupe |
JeC | Courant collecteur @ TC= 25oC @ TC= 100oC | 1073 650 | Une |
Jecm | Courant collecteur pulsé tP=1ms | 1300 | Une |
Pd | Puissance maximale Dissipation @ Tj= 175oC | 4.2 | KW |
Diode
Le symbole | Description | valeur | unité |
V. Le groupeRRM | Voltage inverse de pointe répétitif | 1700 | V. Le groupe |
JeF | Diode à dérive continuele loyer | 650 | Une |
JeFM | Courant Avant Maximum du Diode tP=1ms | 1300 | Une |
Module
Le symbole | Description | valeur | unité |
tjmax | Température maximale de jonction | 175 | oC |
tle jouet | Température de fonctionnement des jonctions | -40 à +150 | oC |
tGST | Température de stockageAutonomie | -40 à +150 | oC |
V. Le groupeISO | Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t=Une minute. | 4000 | V. Le groupe |
L'IGBT Caractéristiques tC= 25oC à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | unité |
V. Le groupeCE (sat) |
Collecteur à émetteur Voltage de saturation | JeC=650A,VGénéralement générés= 15 V, tj= 25oC |
| 1.90 | 2.35 |
V. Le groupe |
JeC=650A,VGénéralement générés= 15 V, tj= 125oC |
| 2.35 |
| |||
JeC=650A,VGénéralement générés= 15 V, tj= 150oC |
| 2.45 |
| |||
V. Le groupeGénéralement générés(Le) | seuil d'émetteur de porte tension | JeC=24.0Le nombre de,V. Le groupeCE=V. Le groupeGénéralement générés, tj= 25oC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V. Le groupe |
JeLe CES | Le collecteur Coupe-Éteint Actuel | V. Le groupeCE=V. Le groupeLe CES,V. Le groupeGénéralement générés=0V, tj= 25oC |
|
| 5.0 | Le nombre de |
JeGES | Fuite de l'émetteur de la porte Actuel | V. Le groupeGénéralement générés=V. Le groupeGES,V. Le groupeCE=0V,tj= 25oC |
|
| 400 | nA |
rLe gint | Résistance à la porte interneance |
|
| 2.3 |
| Oh |
C- Je vous en prie. | Capacité d'entrée | V. Le groupeCE= 25V, f=1 MHz, V. Le groupeGénéralement générés=0V |
| 72.3 |
| NF |
Crés | Transfert inverse Capacité |
| 1.75 |
| NF | |
Q: Le numérog | Charge de la porte | V. Le groupeGénéralement générésJe suis désolé. 15...+15V |
| 5.66 |
| Le taux de décharge |
td(sur) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupeCC= 900V,IC=650A, rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,V. Le groupeGénéralement générés=±15V,Tj= 25oC |
| 468 |
| N.S. |
tr | Il est temps de monter. |
| 86 |
| N.S. | |
td(Éteint) | Débranchement Temps de retard |
| 850 |
| N.S. | |
tF | Temps d'automne |
| 363 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé.sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 226 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé.Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 161 |
| Je suis désolé. | |
td(sur) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupeCC= 900V,IC=650A, rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,V. Le groupeGénéralement générés=±15V,Tj= 125oC |
| 480 |
| N.S. |
tr | Il est temps de monter. |
| 110 |
| N.S. | |
td(Éteint) | Débranchement Temps de retard |
| 1031 |
| N.S. | |
tF | Temps d'automne |
| 600 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé.sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 338 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé.Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 226 |
| Je suis désolé. | |
td(sur) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupeCC= 900V,IC=650A, rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,V. Le groupeGénéralement générés=±15V,Tj= 150oC |
| 480 |
| N.S. |
tr | Il est temps de monter. |
| 120 |
| N.S. | |
td(Éteint) | Débranchement Temps de retard |
| 1040 |
| N.S. | |
tF | Temps d'automne |
| 684 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé.sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 368 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé.Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 242 |
| Je suis désolé. | |
JeSC |
Données SC | tP≤ 10 μs,VGénéralement générés= 15 V, tj= 150oC,VCC= un débit de tension de 1000 V,V. Le groupeMEC≤ 1700V |
|
2600 |
|
Une |
Diode Caractéristiques tC= 25oC à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | unité |
V. Le groupeF | Diode vers l'avant tension | JeF=650A,VGénéralement générés=0V,Tj= 25oC |
| 1.85 | 2.30 |
V. Le groupe |
JeF=650A,VGénéralement générés=0V,Tj= 125oC |
| 1.98 |
| |||
JeF=650A,VGénéralement générés=0V,Tj= 150oC |
| 2.02 |
| |||
Q: Le numéror | Charge récupérée | V. Le grouper= 900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGénéralement générésJe suis désolé. 15Vtj= 25oC |
| 176 |
| Le taux de décharge |
JeRM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 765 |
| Une | |
E. Je suis désolé.Réc | RécupérationÉnergie |
| 87.4 |
| Je suis désolé. | |
Q: Le numéror | Charge récupérée | V. Le grouper= 900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGénéralement générésJe suis désolé. 15V tj= 125oC |
| 292 |
| Le taux de décharge |
JeRM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 798 |
| Une | |
E. Je suis désolé.Réc | RécupérationÉnergie |
| 159 |
| Je suis désolé. | |
Q: Le numéror | Charge récupérée | V. Le grouper= 900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGénéralement générésJe suis désolé. 15V tj= 150oC |
| 341 |
| Le taux de décharge |
JeRM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 805 |
| Une | |
E. Je suis désolé.Réc | RécupérationÉnergie |
| 192 |
| Je suis désolé. |
NTC Caractéristiques tC= 25oC à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | unité |
r25 | Résistance nominale |
|
| 5.0 |
| KΩ |
ΔR/R | Déviation de r100 | tC= 100 oC,R100= 493,3Ω | -5 |
| 5 | % |
P25 | Puissance Dissipation |
|
|
| 20.0 | MW |
B25 à 50% | Valeur B | r2= R25Exp[B25 à 50%1/T2- Je suis désolé. |
| 3375 |
| k |
B25/80 | Valeur B | r2= R25Exp[B25/801/T2- Je suis désolé. |
| 3411 |
| k |
B25/100 | Valeur B | r2= R25Exp[B25/1001/T2- Je suis désolé. |
| 3433 |
| k |
Module Caractéristiques tC= 25oC à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | unité |
LCE | Inductivité de déplacement |
| 18 |
| NH |
rCC+EE | Module de résistance au plomb,Terminal au chip |
| 0.30 |
| mΩ |
rle CJJ | Les points de jonction (par IGB)T) Les points de contact entre les deux cas (par D)iode) |
|
| 35.8 71.3 | K/kW |
rthCH | Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%.Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%.Module) |
| 13.5 26.9 4.5 |
| K/kW |
M | Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Connexion TerminalCouple, Vire M8 Le couple de montage Vire M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10.0 6.0 |
N.m. |
g | Poids de Module |
| 810 |
| g |
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