Module IGBT 1200V

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C

@ T C =70 o C

830

600

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

1200

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j = 150 o C

4032

Le

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V. Le groupe

Je F

Diode à dérive continue le loyer

600

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

1200

Une

Le symbole

Description

valeur

unité

t jmax

Température maximale de jonction

150

o C

t le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +125

o C

t GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C

2.90

3.35

V. Le groupe

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C

3.60

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte tension

Je C =6.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C

5.0

5.8

6.6

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

t j = 25 o C

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C

400

nA

r Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.25

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

39.0

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

2.55

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15...+15V

6.30

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A, r g = 1. 1Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C

205

N.S.

t r

Il est temps de monter.

50

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

265

N.S.

t F

Temps d'automne

140

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

50.4

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

20.0

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A, r g = 1. 1Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 125o C

210

N.S.

t r

Il est temps de monter.

55

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

275

N.S.

t F

Temps d'automne

175

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

66.0

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

28.9

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

t j = 125 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

3900

Une

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

2.25

2.70

V. Le groupe

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

2.35

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe CC =600V,I F =600A,

-di/dt= 12kA/μs,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C

42.0

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

492

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

16.6

Je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe CC =600V,I F =600A,

-di/dt= 12kA/μs,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125o C

80.4

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

672

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

37.9

Je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

r CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.18

mΩ

r le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.031

0.070

Pour les produits de base

r thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 Diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.051

0.114

0.035

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Connexion Terminal Couple, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.m.

g

Poids de Module

300

g