GD600HFX170C6S, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT 1700V

GD600HFX170C6S,Module IGBT,STARPOWER

Module IGBT，1700V 600A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes.

Introduction
Le schéma

Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1700V 600A.

Caractéristiques

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Température maximale de jonction 175oC
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

Invertisseurs pour moteur
Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1700	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Le collecteur Actuel @ t C = 25 o C @ t C = 100o C	1069 600	Une
Je cm	Impulsé Le collecteur Actuel t P =1 MS	1200	Une
P d	Le montant maximal Puissance Dissipation @ t j = 175 o C	4166	Le

Diode

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Voltage inverse de pointe répétitif	1700	V. Le groupe
Je F	Diode à courant continu vers l'avant	600	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	1200	Une

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t jmax	Température maximale de jonction nature	175	o C
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
t GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Isolement tension RMS ,f=50 HZ , t=1 min	4000	V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (assis )	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =600A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.85	2.20	V. Le groupe
		Je C =600A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		2.25
		Je C =600A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C		2.35
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte tension	Je C = 12.0Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés ,t j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V. Le groupe
Je Le CES	Coupe du collecteur Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
r Le gint	Résistance interne de la porte			1.1		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz , V. Le groupe Généralement générés =0V		72.3		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			1.75		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15...+15V		5.66		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =900V, Je C =600A, r g = 1.0Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C		160		N.S.
t r	Il est temps de monter.			67		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			527		N.S.
t F	Temps d'automne			138		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			154		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			132		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =900V, Je C =600A, r g = 1.0Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 125o C		168		N.S.
t r	Il est temps de monter.			80		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			585		N.S.
t F	Temps d'automne			168		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			236		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			189		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =900V, Je C =600A, r g = 1.0Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 150o C		192		N.S.
t r	Il est temps de monter.			80		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			624		N.S.
t F	Temps d'automne			198		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			259		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			195		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C ,V. Le groupe CC = un débit de tension de 1000 V, V. Le groupe MEC ≤ 1700V		2400		Une

Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =600A, V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C		1.80	2.25	V. Le groupe
		Je F =600A, V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 125o C		1.90
		Je F =600A, V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 150o C		1.95
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe r =900V, Je F =600A, -di /dt =6700A/μs, V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 25 o C		153		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			592		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			76.5		Je suis désolé.
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe r =900V, Je F =600A, -di /dt =6700A/μs, V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 125 o C		275		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			673		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			150		Je suis désolé.
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe r =900V, Je F =600A, -di /dt =6700A/μs, V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 150 o C		299		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			690		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			173		Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
r 25	Résistance nominale			5.0		KΩ
ΔR/R	Déviation de r 100	t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	MW
B 25 à 50%	Je suis désolé. valeur	r 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.		3375		k
B 25/80	Je suis désolé. valeur	r 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.		3411		k
B 25/100	Je suis désolé. valeur	r 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.		3433		k

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
L CE	Inductivité de déplacement		20		NH
r CC + EE ’	Résistance au plomb du module, borne à Chip		1.10		mΩ
r le CJJ	Réservoir -à -Cas (par L'IGBT ) Réservoir -à -Cas (par Diode )			0.036 0.073	Pour les produits de base
r thCH	Cas -à -Disjoncteur (par L'IGBT ) Cas -à -Disjoncteur (par Diode ) Pour les appareils de traitement de la chaleur, le système de chauffage doit être équipé d'un système de chauffage de type "H" (exemple:		0.027 0.055 0.009		Pour les produits de base
M	Le couple de connexion du terminal, Vis M6 Montage Couple , Vis M 5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
g	Poids de Module		350		g