Module IGBT 1700V

GD50PIX170C6SA, Module IGBT, STARPOWER

1700V 50A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD50PIX170C6SA

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1700V 50A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Température maximale de la jonction 175 ℃
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Invertisseurs pour moteur
Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Unité de mesure de la pression

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1700	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C	100 50	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	100	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C	384	Le

Déplacement de diode

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive Âge	1700	V. Le groupe
Je F	Diode courant continu avant Cu Rente	50	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	100	Une

Diode-redresseur

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive Âge	1600	V. Le groupe
Je o	Courant de sortie moyen 5 0Hz/60Hz, onde sinusoïdale	50	Une
Je Le FSM	Courant de surtension en avant V R =0V,T P =10ms,T j = 45 o C	850	Une
Je 2t	Je 2valeur-t,V R =0V,T P =10m s,T j = 45 o C	3610	Une 2s

Frein IGBT

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1700	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C	100 50	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	100	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C	384	Le

Diode -Frein

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive Âge	1700	V. Le groupe
Je F	Diode courant continu avant Cu Rente	50	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	100	Une

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t jmax	Température maximale de la jonction (inversor, frein) Température maximale de la jonction (redresseur)	175 150	o C
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
t GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute	4000	V. Le groupe

L'IGBT -Invertisseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =50A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.85	2.20	V. Le groupe
		Je C =50A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		2.25
		Je C =50A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C		2.35
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =2.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance de porte interne Valeurs			9.5		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		6.02		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.15		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V		0.47		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =50A, R g =9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C		163		N.S.
t R	Il est temps de monter.			44		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			290		N.S.
t F	Temps d'automne			347		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			12.7		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			7.28		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =50A, R g =9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 o C		186		N.S.
t R	Il est temps de monter.			51		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			361		N.S.
t F	Temps d'automne			535		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			17.9		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			11.1		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =50A, R g =9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150 o C		192		N.S.
t R	Il est temps de monter.			52		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			374		N.S.
t F	Temps d'automne			566		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			20.0		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			12.0		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C,V CC =1000V, V. Le groupe MEC ≤ 1700V		200		Une

Diode -Invertisseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =50A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.80	2.25	V. Le groupe
		Je F =50A,V Généralement générés =0V,T j = 125 o C		1.95
		Je F =50A,V Généralement générés =0V,T j = 150 o C		1.90
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 25 o C		11.8		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			48		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			6.08		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 125 o C		20.7		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			52		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			11.4		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 150 o C		23.7		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			54		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			13.1		Je suis désolé.

Diode -redresseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =50A, V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 150 o C		1.14		V. Le groupe
Je R	Courant inverse	t j = 150 o C,V R =1600V			3.0	Le nombre de

L'IGBT -Frein Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =50A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.85	2.20	V. Le groupe
		Je C =50A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		2.25
		Je C =50A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C		2.35
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =2.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance interne de la porte			9.5		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		6.02		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.15		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V		0.47		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =50A, R g =9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C		163		N.S.
t R	Il est temps de monter.			44		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			290		N.S.
t F	Temps d'automne			347		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			12.7		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			7.28		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =50A, R g =9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 o C		186		N.S.
t R	Il est temps de monter.			51		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			361		N.S.
t F	Temps d'automne			535		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			17.9		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			11.1		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =50A, R g =9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150 o C		192		N.S.
t R	Il est temps de monter.			52		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			374		N.S.
t F	Temps d'automne			566		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			20.0		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			12.0		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C,V CC =1000V, V. Le groupe MEC ≤ 1700V		200		Une

Diode -Frein Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =50A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.80	2.25	V. Le groupe
		Je F =50A,V Généralement générés =0V,T j = 125 o C		1.95
		Je F =50A,V Généralement générés =0V,T j = 150 o C		1.90
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 25 o C		11.8		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			48		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			6.08		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 125 o C		20.7		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			52		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			11.4		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =50A, -di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 150 o C		23.7		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			54		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			13.1		Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
R 25	Résistance nominale			5.0		KΩ
∆R/R	Déviation de R 100	t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	MW
B 25 à 50%	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.		3375		k
B 25/80	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.		3411		k
B 25/100	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.		3433		k

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
L CE	Inductivité de déplacement		60		NH
R CC+EE R AA + CC ’	Module de résistance au plomb nce,Terminal à Puce		4.00 2.00		mΩ
R le CJJ	Réservoir -à -cas (parIGBT -Invertisseur ) Jonction-à-Boîtier (par DIODE-onduleur er) Junction-to-Case (par Diode-rectif ieur) Réservoir -à -cas (parIGBT -Frein ) Junction-to-Case (par Diode-br ake)			0.390 0.554 0.565 0.390 0.554	Pour les produits de base
R thCH	cas -à -Disjoncteur (parIGBT -Invertisseur )Case-to-Heatsink (par Diode-i nverseur) Case-to-Heatsink (par Diode-re ctifieur) cas -à -Disjoncteur (parIGBT -Frein ) Case-to-Heatsink (par Dio de-brake) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009		Pour les produits de base
M	Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur	3.0		6.0	N.m.
g	Poids de Module		300		g