GD400HTX120P4SD,Module IGBT,STARPOWER

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 400A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Faibles pertes de commutation
Capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Température maximale de jonction 175oC
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée avec technologie DBC

Applications Typiques

Véhicule hybride et électrique
Invertisseurs pour moteur
Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je Nom de la CN	Collecteur Cu implémenté Rente	400	Une
Je C	Courant collecteur @ T F = 25 o C @ T F =75 o C	400 300	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	800	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C	1500	Le

L'IGBT

Diode

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive Âge	1200	V. Le groupe
Je FN	Avant Cu implémenté Rente	400	Une
Je F	Diode courant continu avant Cu Rente	300	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	800	Une

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t jmax	Température maximale de jonction	175	o C
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
t GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute	2500	V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.50	1.95	V. Le groupe
		Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		1.60
		Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C		1.65
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =16.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C	5.3	5.8	6.3	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			1.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance interne de la porte			0.5		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		41.4		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			1.16		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =15V		3.11		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS = 25 NH ,t j = 25 o C		223		N.S.
t R	Il est temps de monter.			32		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			354		N.S.
t F	Temps d'automne			228		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			6.24		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			20.1		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, Ls=25nH,T j = 125 o C		229		N.S.
t R	Il est temps de monter.			36		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			411		N.S.
t F	Temps d'automne			344		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			11.0		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			28.6		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, Ls=25nH,T j = 150 o C		231		N.S.
t R	Il est temps de monter.			38		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			421		N.S.
t F	Temps d'automne			352		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			12.2		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			29.7		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V		1600		Une

Diode Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.35	1.80	V. Le groupe
		Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C		1.35
		Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C		1.35
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =500V,I F = 300A, -di/dt=9700A/μs,V Généralement générés =-15V Ls=25nH,T j = 25 o C		32.7		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			478		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			22.1		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =500V,I F = 300A, -di/dt=8510A/μs,V Généralement générés =-15V Ls=25nH,T j = 125 o C		45.9		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			522		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			32.7		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =500V,I F = 300A, -di/dt=8250A/μs,V Généralement générés =-15V Ls=25nH,T j = 150 o C		51.5		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			537		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			37.4		Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
R 25	Résistance nominale			5.0		KΩ
∆R/R	Déviation de R 100	t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	MW
B 25 à 50%	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.		3375		k
B 25/80	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.		3411		k
B 25/100	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.		3433		k

Module Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
△ P	Chute de pression de refroidissement Cir cuit △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ;t F = 25 o C ;Réfrigération Fluide=50% Eau/50% Éthylène Glycol		100		mbar
P	Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit			2.5	Barre
L CE	Inductivité de déplacement		14		NH
R CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		0.80		mΩ
R thJF	Réservoir -à -Réfrigération Fluide (parIGBT ) Jonction au fluide de refroidissement (par Di (voir aussi			0.100 0.125	Pour les produits de base
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6	2.5 3.0		5.0 6.0	N.m.
g	Poids de Module		1340		g