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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD400HTX120P4S , Module IGBT, STARPOWER

1200V 400A Package:P4

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD400HTX120P4S
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 400A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Faibles pertes de commutation
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée avec technologie DBC

Applications Typiques

  • Véhicule hybride et électrique
  • Invertisseurs pour moteur
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Je GBT

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté Rente

400

Une

Je C

Courant collecteur @ T F = 25 o C @ T F =75 o C

400

300

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

800

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

1500

Le

Diode

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

1200

V. Le groupe

Je FN

Avant Cu implémenté Rente

400

Une

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

300

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

800

Une

Module

Le symbole

Description

valeur

unité

t jmax

Température maximale de jonction

175

o C

t le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C

1.50

1.95

V. Le groupe

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C

1.60

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C

1.65

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =16.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C

5.3

5.8

6.3

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C

1.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

0.5

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

41.4

NF

C rés

Transfert inverse Capacité

1.16

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =15V

3.11

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C

171

N.S.

t R

Il est temps de monter.

54

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

433

N.S.

t F

Temps d'automne

41

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

18.2

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

13.4

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 o C

193

N.S.

t R

Il est temps de monter.

54

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

546

N.S.

t F

Temps d'automne

93

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

25.7

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

26.8

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150 o C

203

N.S.

t R

Il est temps de monter.

64

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

628

N.S.

t F

Temps d'automne

93

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

27.8

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

30.9

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t j = 150 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

1600

Une

Diode Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.55

1.80

V. Le groupe

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C

1.50

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.45

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =500V,I F = 300A,

-di/dt=3150A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 25 o C

25.7

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

229

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

6.7

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =500V,I F = 300A,

-di/dt=3150A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 125 o C

49.0

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

380

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

17.1

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =500V,I F = 300A,

-di/dt=3150A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 150 o C

57.0

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

380

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

20.0

Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

R 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de R 100

t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.

3375

k

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.

3411

k

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.

3433

k

Module Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

P

Chute de pression de refroidissement Cir cuit

V/ t=10.0 dm 3/min ;t F = 25 o C ;Réfrigération Fluide=50% Eau/50% Éthylène Glycol

100

mbar

P

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

2.5

Barre

L CE

Inductivité de déplacement

14

NH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.80

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Fluide (parIGBT ) Jonction au fluide de refroidissement (par Di (voir aussi

0.100 0.125

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.m.

g

Poids de Module

1250

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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