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Module IGBT 1700V

Module IGBT 1700V

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GD300HFX170C6SA, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT, 1700V 300A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD300HFX170C6SA
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1700V 300A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de jonction 175oC
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC Y

Applications Typiques

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

493

300

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

600

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

1829

Le

Diode

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

1700

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

300

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

600

Une

Module

Le symbole

Description

valeur

unité

t jmax

Température maximale de jonction

175

o C

t le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

4000

V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C

1.85

2.20

V. Le groupe

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C

2.25

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C

2.35

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =12,0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.5

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

36.1

NF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.88

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V

2.83

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C = 300A,

R Gon = 3,3Ω, R Goff = 4,7Ω, L s =66nH,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C

265

N.S.

t R

Il est temps de monter.

94

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

565

N.S.

t F

Temps d'automne

326

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

77.6

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

52.8

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C = 300A,

R Gon = 3,3Ω, R Goff = 4,7Ω, L s =66nH,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 o C

302

N.S.

t R

Il est temps de monter.

104

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

631

N.S.

t F

Temps d'automne

521

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

108

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

72.8

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C = 300A,

R Gon = 3,3Ω, R Goff = 4,7Ω, L s =66nH,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150 o C

313

N.S.

t R

Il est temps de monter.

108

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

645

N.S.

t F

Temps d'automne

545

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

119

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

78.4

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t j = 150 o C ,V. Le groupe CC =1000V, V. Le groupe MEC ≤ 1700V

1200

Une

Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.80

2.25

V. Le groupe

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C

1.95

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.90

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2650A/μs,V Généralement générés =-15V L s =66 NH ,t j = 25 o C

56.3

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

228

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

38.4

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2300A/μs,V Généralement générés =-15V L s =66 NH ,t j = 125 o C

89.6

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

262

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

60.2

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2250A/μs,V Généralement générés =-15V L s =66 NH ,t j = 150 o C

102

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

272

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

69.6

Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

R 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de R 100

t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.

3375

k

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.

3411

k

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.

3433

k

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

1.10

R le CJJ

Réservoir -à -cas (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.082 0.121

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.030 0.045 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

g

Poids de Module

350

g

Le schéma

image(c537ef1333).png

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