GD225HFX120C6S, Module IGBT, STARPOWER

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 225A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Température maximale de la jonction 175 ℃
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Invertisseurs pour moteur
Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C =195 o C	338 225	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	450	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C	1071	Le

Diode

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive Âge	1200	V. Le groupe
Je F	Diode courant continu avant Cu Rente	225	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	450	Une

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t jmax	Température maximale de jonction	175	o C
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
t GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute	2500	V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.75	2.20	V. Le groupe
		Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		2.00
		Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C		2.05
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =8.16 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			1.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance à la porte interne ance			0.7		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		23.3		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.65		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V		1.75		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =225A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C		136		N.S.
t R	Il est temps de monter.			34		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			372		N.S.
t F	Temps d'automne			69		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			5.78		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			16.7		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =225A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 o C		145		N.S.
t R	Il est temps de monter.			34		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			461		N.S.
t F	Temps d'automne			88		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			10.6		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			26.0		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =225A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150 o C		153		N.S.
t R	Il est temps de monter.			34		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			490		N.S.
t F	Temps d'automne			98		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			12.8		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			28.9		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V		900		Une

Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =225A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.85	2.30	V. Le groupe
		Je F =225A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C		1.90
		Je F =225A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C		1.95
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V Généralement générés =-15V, t j = 25 o C		25.9		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			345		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			11.8		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V Généralement générés =-15V, t j = 125 o C		49.5		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			368		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			21.6		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V Généralement générés =-15V, t j = 150 o C		56.4		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			391		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			24.5		Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
R 25	Résistance nominale			5.0		KΩ
∆R/R	Déviation de R 100	t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	MW
B 25 à 50%	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.		3375		k
B 25/80	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.		3411		k
B 25/100	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.		3433		k

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
L CE	Inductivité de déplacement		20		NH
R CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		1.10		mΩ
R le CJJ	Réservoir -à -cas (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)			0.140 0.203	Pour les produits de base
R thCH	cas -à -Disjoncteur (parIGBT ) Pour les appareils de type "A" Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		0.030 0.044 0.009		Pour les produits de base
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
g	Poids de Module		350		g