GD200TLQ120L3S, Module IGBT, 3-niveaux, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

339

200

Une

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p = 1 ms

400

Une

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

1456

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V. Le groupe

Je F

Diode à dérive continue le loyer

75

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p = 1 ms

150

Une

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

650

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C

@ T C =95 o C

158

100

Une

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p = 1 ms

200

Une

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

441

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

650

V. Le groupe

Je F

Diode à dérive continue le loyer

100

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p = 1 ms

200

Une

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.40

1.85

V. Le groupe

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

1.65

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

1.70

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =5.0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

T j = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

3.8

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

20.7

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.58

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15...+15V

1.56

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C

142

n.S.

t r

Il est temps de monter.

25

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

352

n.S.

t f

Temps d'automne

33

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

1.21

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

3.90

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

155

n.S.

t r

Il est temps de monter.

29

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

440

n.S.

t f

Temps d'automne

61

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.02

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

5.83

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

161

n.S.

t r

Il est temps de monter.

30

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

462

n.S.

t f

Temps d'automne

66

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.24

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

6.49

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

800

Une

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

Tension

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.70

2.15

V. Le groupe

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.65

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.65

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 25 o C

8.7

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

122

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

2.91

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 125o C

17.2

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

143

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

5.72

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 150o C

19.4

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

152

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

6.30

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.45

1.90

V. Le groupe

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

1.60

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

1.70

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C = 1,60mA,V CE =V Généralement générés , T j = 25 o C

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

T j = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

11.6

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.23

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15...+15V

0.69

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C

44

n.S.

t r

Il est temps de monter.

20

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

200

n.S.

t f

Temps d'automne

28

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

1.48

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

2.48

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

48

n.S.

t r

Il est temps de monter.

24

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

216

n.S.

t f

Temps d'automne

40

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.24

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

3.28

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

52

n.S.

t r

Il est temps de monter.

24

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

224

n.S.

t f

Temps d'automne

48

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.64

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

3.68

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤6μs,V Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C,V CC = 360 V, V. Le groupe MEC ≤ 650 V

500

Une

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

Tension

Je F = 100A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.55

2.00

V. Le groupe

Je F = 100A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.50

Je F = 100A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.45

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 25 o C

3.57

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

99

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

1.04

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 125o C

6.49

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

110

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

1.70

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 150o C

7.04

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

110

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

1.81

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

δR/R

Déviation de R 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R le CJJ

Les points de contact sont les points de contact les plus proches de la surface de l'appareil. T4 IGBT)

Junction-to-Case (par D1,D4 Dio de)

Junction-to-Case (par T2, T3 IGBT)

Junction-to-Case (par D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. T1,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (par D1,D4 Diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. T2,T3 IGBT)

Case-to-Heatsink (par D2,D3 Diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

Pour les produits de base

F

Force de serrage par pince

40

80

N

G

Poids de Module

39

g