GD200TLQ120L3S, Module IGBT, 3 niveaux, STARPOWER

Module IGBT 1200V

GD200TLQ120L3S, Module IGBT, 3-niveaux, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD200TLQ120L3S

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 200A. Je suis désolé.

Caractéristiques

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Faible perte de commutation
Capacité de court-circuit
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Température maximale de jonction 175oC
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Cas à faible inductance
Dissipateur de chaleur isolé utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Énergie solaire
UPS
application à 3 niveaux

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 o C à moins Autrement Noté

T1, T4 IGBT

Le symbole	Description	Les valeurs	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100o C	339 200	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P = 1 ms	400	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C	1456	Le

D1, D4 Diode

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Voltage inverse de pointe répétitif	1200	V. Le groupe
Je F	Diode à dérive continue le loyer	75	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P = 1 ms	150	Une

T2, T3 IGBT

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	650	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C =95 o C	158 100	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P = 1 ms	200	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C	441	Le

D2, D3 Diode

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Voltage inverse de pointe répétitif	650	V. Le groupe
Je F	Diode à dérive continue le loyer	100	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P = 1 ms	200	Une

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t jmax	Température maximale de jonction	175	o C
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
t GST	Température de stockage Autonomie	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V. Le groupe

T1, T4 L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.40	1.85	V. Le groupe
		Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		1.65
		Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C		1.70
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte tension	Je C =5.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C	5.2	6.0	6.8	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			1.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
r Le gint	Résistance à la porte interne ance			3.8		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		20.7		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.58		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15...+15V		1.56		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, r g = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C		142		N.S.
t r	Il est temps de monter.			25		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			352		N.S.
t F	Temps d'automne			33		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			1.21		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			3.90		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, r g = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125o C		155		N.S.
t r	Il est temps de monter.			29		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			440		N.S.
t F	Temps d'automne			61		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			2.02		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			5.83		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, r g = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150o C		161		N.S.
t r	Il est temps de monter.			30		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			462		N.S.
t F	Temps d'automne			66		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			2.24		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			6.49		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V		800		Une

D1,D4 Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =75A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.70	2.15	V. Le groupe
		Je F =75A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C		1.65
		Je F =75A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C		1.65
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe r =400V,I F =75A, -di/dt=3500A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 25 o C		8.7		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			122		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			2.91		Je suis désolé.
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe r =400V,I F =75A, -di/dt=3500A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 125o C		17.2		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			143		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			5.72		Je suis désolé.
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe r =400V,I F =75A, -di/dt=3500A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 150o C		19.4		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			152		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			6.30		Je suis désolé.

T2,T3 L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.45	1.90	V. Le groupe
		Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		1.60
		Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C		1.70
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte tension	Je C = 1,60mA,V CE =V Généralement générés , T j = 25 o C	5.0	5.8	6.5	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			1.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
r Le gint	Résistance à la porte interne ance			2.0		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		11.6		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.23		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15...+15V		0.69		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, r g = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C		44		N.S.
t r	Il est temps de monter.			20		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			200		N.S.
t F	Temps d'automne			28		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			1.48		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			2.48		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, r g = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125o C		48		N.S.
t r	Il est temps de monter.			24		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			216		N.S.
t F	Temps d'automne			40		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			2.24		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			3.28		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, r g = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150o C		52		N.S.
t r	Il est temps de monter.			24		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			224		N.S.
t F	Temps d'automne			48		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			2.64		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			3.68		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤6μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C,V CC = 360 V, V. Le groupe MEC ≤ 650 V		500		Une

D2,D3 Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F = 100A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.55	2.00	V. Le groupe
		Je F = 100A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C		1.50
		Je F = 100A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C		1.45
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe r =400V,I F = 100A, -di/dt=4070A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 25 o C		3.57		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			99		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			1.04		Je suis désolé.
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe r =400V,I F = 100A, -di/dt=4070A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 125o C		6.49		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			110		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			1.70		Je suis désolé.
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe r =400V,I F = 100A, -di/dt=4070A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 150o C		7.04		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			110		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			1.81		Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
r 25	Résistance nominale			5.0		KΩ
ΔR/R	Déviation de r 100	t C = 100 o C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	MW
B 25 à 50%	Valeur B	r 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.		3375		k
B 25/80	Valeur B	r 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.		3411		k
B 25/100	Valeur B	r 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.		3433		k

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
r le CJJ	Les points de contact sont les points de contact les plus proches de la surface de l'appareil. T4 IGBT) Junction-to-Case (par D1,D4 Dio de) Junction-to-Case (par T2, T3 IGBT) Junction-to-Case (par D2,D3 Dio de)		0.094 0.405 0.309 0.544	0.103 0.446 0.340 0.598	Pour les produits de base
r thCH	Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. T1,T4 IGBT) Case-to-Heatsink (par D1,D4 Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. T2,T3 IGBT) Case-to-Heatsink (par D2,D3 Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		0.126 0.547 0.417 0.733 0.037		Pour les produits de base
F	Force de serrage par pince	40		80	N
g	Poids de Module		39		g