1200V 200A, 3-niveaux
Introduction brève
Module IGBT , 3-niveaux ,produit par STARPOWER. 1200V 200A. Je suis désolé.
Caractéristiques
Applications Typiques
- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 o C à moins Autrement Noté
T1-T4 IGBT
Le symbole | Description | valeur | unité |
V. Le groupe Le CES | Voltage du collecteur-émetteur | 1200 | V. Le groupe |
V. Le groupe GES | Voltage de l'émetteur de la porte | ± 20 | V. Le groupe |
Je C | Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100o C | 337 200 | Une |
Je cm | Courant collecteur pulsé t P =1ms | 400 | Une |
P d | Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C | 1162 | Le |
D1-D4 Diode
Le symbole | Description | valeur | unité |
V. Le groupe RRM | Voltage inverse de pointe répétitif | 1200 | V. Le groupe |
Je F | Diode à dérive continue le loyer | 200 | Une |
Je FM | Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms | 400 | Une |
D5, D6 Diode
Le symbole | Description | valeur | unité |
V. Le groupe RRM | Voltage inverse de pointe répétitif | 1200 | V. Le groupe |
Je F | Diode à dérive continue le loyer | 200 | Une |
Je FM | Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms | 400 | Une |
Module
Le symbole | Description | valeur | unité |
t jmax | Température maximale de jonction | 175 | o C |
t le jouet | Température de fonctionnement des jonctions | -40 à +150 | o C |
t GST | Température de stockage Autonomie | -40 à +125 | o C |
V. Le groupe ISO | Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min | 2500 | V. Le groupe |
T1-T4 L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | unité |
V. Le groupe CE (sat) |
Collecteur à émetteur Voltage de saturation | Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C |
| 1.70 | 2.15 |
V. Le groupe |
Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C |
| 1.95 |
| |||
Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C |
| 2.00 |
| |||
V. Le groupe Généralement générés (Le ) | seuil d'émetteur de porte tension | Je C =5.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V. Le groupe |
Je Le CES | Le collecteur Coupe -Éteint Actuel | V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C |
|
| 1.0 | Le nombre de |
Je GES | Fuite de l'émetteur de la porte Actuel | V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C |
|
| 400 | nA |
r Le gint | Résistance à la porte interne ance |
|
| 4.0 |
| Oh |
C - Je vous en prie. | Capacité d'entrée | V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V |
| 20.7 |
| NF |
C rés | Transfert inverse Capacité |
| 0.58 |
| NF | |
Q: Le numéro g | Charge de la porte | V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15...+15V |
| 1.55 |
| Le taux de décharge |
t d (sur ) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C |
| 150 |
| N.S. |
t r | Il est temps de monter. |
| 32 |
| N.S. | |
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 330 |
| N.S. | |
t F | Temps d'automne |
| 93 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé. sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 11.2 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé. Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 11.3 |
| Je suis désolé. | |
t d (sur ) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125o C |
| 161 |
| N.S. |
t r | Il est temps de monter. |
| 37 |
| N.S. | |
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 412 |
| N.S. | |
t F | Temps d'automne |
| 165 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé. sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 19.8 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé. Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 17.0 |
| Je suis désolé. | |
t d (sur ) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150o C |
| 161 |
| N.S. |
t r | Il est temps de monter. |
| 43 |
| N.S. | |
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 433 |
| N.S. | |
t F | Temps d'automne |
| 185 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé. sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 21.9 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé. Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 19.1 |
| Je suis désolé. | |
Je SC |
Données SC | t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V |
|
800 |
|
Une |
D1-D4 Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe F | Diode vers l'avant tension | Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C |
| 1.65 | 2.10 |
V. Le groupe |
Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C |
| 1.65 |
| |||
Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C |
| 1.65 |
| |||
Q: Le numéro r | Charge récupérée | V. Le groupe r =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 25 o C |
| 17.6 |
| Le taux de décharge |
Je RM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 228 |
| Une | |
E. Je suis désolé. Réc | Récupération Énergie |
| 7.7 |
| Je suis désolé. | |
Q: Le numéro r | Charge récupérée | V. Le groupe r =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 125 o C |
| 31.8 |
| Le taux de décharge |
Je RM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 238 |
| Une | |
E. Je suis désolé. Réc | Récupération Énergie |
| 13.8 |
| Je suis désolé. | |
Q: Le numéro r | Charge récupérée | V. Le groupe r =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 150 o C |
| 36.6 |
| Le taux de décharge |
Je RM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 247 |
| Une | |
E. Je suis désolé. Réc | Récupération Énergie |
| 15.2 |
| Je suis désolé. |
D5, D6 Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe F | Diode vers l'avant tension | Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C |
| 1.65 | 2.10 |
V. Le groupe |
Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C |
| 1.65 |
| |||
Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C |
| 1.65 |
| |||
Q: Le numéro r | Charge récupérée | V. Le groupe r =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 25 o C |
| 17.6 |
| Le taux de décharge |
Je RM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 228 |
| Une | |
E. Je suis désolé. Réc | Récupération Énergie |
| 7.7 |
| Je suis désolé. | |
Q: Le numéro r | Charge récupérée | V. Le groupe r =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 125 o C |
| 31.8 |
| Le taux de décharge |
Je RM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 238 |
| Une | |
E. Je suis désolé. Réc | Récupération Énergie |
| 13.8 |
| Je suis désolé. | |
Q: Le numéro r | Charge récupérée | V. Le groupe r =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 150 o C |
| 36.6 |
| Le taux de décharge |
Je RM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 247 |
| Une | |
E. Je suis désolé. Réc | Récupération Énergie |
| 15.2 |
| Je suis désolé. |
NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | unité |
r 25 | Résistance nominale |
|
| 5.0 |
| KΩ |
ΔR/R | Déviation de r 100 | t C = 100 o C,R 100= 493,3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Puissance Dissipation |
|
|
| 20.0 | MW |
B 25 à 50% | Valeur B | r 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé. |
| 3375 |
| k |
B 25/80 | Valeur B | r 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé. |
| 3411 |
| k |
B 25/100 | Valeur B | r 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé. |
| 3433 |
| k |
Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | unité |
r le CJJ | Junction-to-Case (par T 1-T4 IGBT) Junction-to-Case (par D1-D4 Di (voir aussi Junction-to-Case (par D5,D6 Dio de) |
|
| 0.129 0.237 0.232 | Pour les produits de base |
r thCH | Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. T1-T4 IGBT) Case-to-Heatsink (par D1-D4 Diode) Caisse-vers-Dissipateur (selon D5,D6 Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module) |
| 0.073 0.134 0.131 0.010 |
|
Pour les produits de base |
M | Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 |
|
g | Poids de Module |
| 340 |
| g |
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