GD200HFU120C2S, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT 1200V

GD200HFU120C2S, Module IGBT, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD200HFU120C2S

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par STARPOWER. 1200V 200A. Je suis désolé.

Caractéristiques

Technologie IGBT NPT
Capacité de court-circuit de 10 μs
Faibles pertes de commutation
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

alimentation en mode commutation
Chauffage par induction
Soudeuse électronique

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C =65 o C	262 200	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	400	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T = 150 o C	1315	Le

Diode

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Voltage inverse de pointe répétitif	1200	V. Le groupe
Je F	Diode à dérive continue le loyer	200	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	400	Une

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t jmax	Température maximale de jonction	150	o C
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +125	o C
t GST	Température de stockage Autonomie	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		3.00	3.45	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		3.80		V. Le groupe
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte tension	Je C =2.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C	4.5	5.4	6.5	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
r Le gint	Résistance à la porte interne ance			1.3		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		13.0		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.85		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15...+15V		2.10		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =200A, r g = 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C		87		N.S.
t r	Il est temps de monter.			40		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			451		N.S.
t F	Temps d'automne			63		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			6.8		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			11.9		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =200A, r g = 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125o C		88		N.S.
t r	Il est temps de monter.			44		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			483		N.S.
t F	Temps d'automne			78		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			11.4		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			13.5		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V		1300		Une

Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.95	2.40	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 125 o C		2.00		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe r =600V,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 25 o C		13.3		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			236		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			6.6		Je suis désolé.
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe r =600V,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 125 o C		23.0		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			269		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			10.5		Je suis désolé.

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
L CE	Inductivité de déplacement			30	NH
r CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		0.35		mΩ
r le CJJ	Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)			0.095 0.202	Pour les produits de base
r thCH	Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		0.029 0.063 0.010		Pour les produits de base
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
g	Poids de Module		300		g