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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD150PIY120C6SN, Module IGBT, STARPOWER

1200V 150A, emballage : C6

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD150PIY120C6SN
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 150A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Unité de mesure de la pression

Le symbole

Description

Valeurs

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

292

150

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

300

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

1111

Le

Déplacement de diode

Le symbole

Description

Valeurs

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

1200

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

150

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

300

Une

Diode-redresseur

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

1600

V. Le groupe

Je o

Courant de sortie moyen 5 0Hz/60Hz, onde sinusoïdale

150

Une

Je Le FSM

Courant de pointe P =10ms @ T j = 2 5o C @ T j = 150 o C

1600

1400

Une

Je 2t

Je 2t-valeur,t P =10ms @ T j = 25 o C @ T j = 150 o C

13000

9800

Une 2s

Frein IGBT

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

200

100

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

200

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

833

Le

Diode -Frein

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

1200

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

50

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

100

Une

Module

Le symbole

Description

valeur

unité

t jmax

Température maximale de la jonction (inversor, frein) Température maximale de la jonction (redresseur)

175

150

o C

t le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V. Le groupe

L'IGBT -Invertisseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =150A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C =150A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C

1.95

Je C =150A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C

2.00

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =6.00 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C

1.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.0

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

15.5

NF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.44

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V

1.17

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =150A, R g =1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C

96

N.S.

t R

Il est temps de monter.

30

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

255

N.S.

t F

Temps d'automne

269

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

8.59

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

12.3

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =150A, R g =1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 o C

117

N.S.

t R

Il est temps de monter.

37

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

307

N.S.

t F

Temps d'automne

371

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

13.2

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

16.8

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =150A, R g =1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150 o C

122

N.S.

t R

Il est temps de monter.

38

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

315

N.S.

t F

Temps d'automne

425

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

14.8

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

18.1

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t j = 150 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

600

Une

Diode -Invertisseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =150A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.85

2.25

V. Le groupe

Je F =150A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C

1.90

Je F =150A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.95

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 25 o C

8.62

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

177

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

5.68

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 125 o C

16.7

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

191

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

10.2

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 150 o C

19.4

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

196

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

12.1

Je suis désolé.

Diode -redresseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je C =150A, t j = 150 o C

1.00

V. Le groupe

Je R

Courant inverse

t j = 150 o C,V R =1600V

3.0

Le nombre de

L'IGBT -Frein Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C

1.95

Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C

2.00

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =4.00 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C

1.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

7.5

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

10.4

NF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.29

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V

0.08

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C

170

N.S.

t R

Il est temps de monter.

32

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

360

N.S.

t F

Temps d'automne

86

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

5.90

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

6.05

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 o C

180

N.S.

t R

Il est temps de monter.

42

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

470

N.S.

t F

Temps d'automne

165

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

9.10

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

9.35

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150 o C

181

N.S.

t R

Il est temps de monter.

43

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

480

N.S.

t F

Temps d'automne

186

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

10.0

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

10.5

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t j = 150 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

400

Une

Diode -Frein Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =50A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.85

2.30

V. Le groupe

Je F =50A,V Généralement générés =0V,T j = 125 o C

1.90

Je F =50A,V Généralement générés =0V,T j = 150 o C

1.95

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 25 o C

6.3

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

62

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

1.67

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 125 o C

10.1

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

69

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

2.94

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 150 o C

11.5

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

72

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

3.63

Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

R 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de R 100

t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.

3375

k

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.

3411

k

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.

3433

k

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

L CE

Inductivité de déplacement

40

NH

R CC+EE R AA + CC

Module de résistance au plomb nce,Terminal à Puce

4.00 3.00

R le CJJ

Réservoir -à -cas (parIGBT -Invertisseur ) Jonction-à-Boîtier (par DIODE-onduleur er) Junction-to-Case (par Diode-rectif ieur) Réservoir -à -cas (parIGBT -Frein )

Junction-to-Case (par Diode-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

Pour les produits de base

R thCH

cas -à -Disjoncteur (parIGBT -Invertisseur )Case-to-Heatsink (par Diode-i nverseur) Case-to-Heatsink (par Diode-re ctifieur) cas -à -Disjoncteur (parIGBT -Frein )

Case-to-Heatsink (par Dio de-brake) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur

3.0

6.0

N.m.

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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