GD1200SGT120C3S, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT 1200V

GD1200SGT120C3S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 1200A

Spu:

Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.

Introduction
Le schéma

Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 1200A.

Caractéristiques

Faible VCE(sat) Tranchée L'IGBT Technologie
Capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec positifs Température coefficient
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

Convertisseurs haute puissance
Pilotes de moteur
Variateurs de courant alternatif

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Description	Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.	Unités
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant Collecteur @ t C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	1900 1200	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1 MS	2400	Une
Je F	Diode à dérive continue le loyer @ T C = 80 ℃	1200	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	2400	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j =1 75℃	6.79	KW
t jmax	Température maximale de jonction	175	℃
t GST	Température de stockage Autonomie	-40 à +125	℃
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V. Le groupe
Montage Couple	Vis de terminal de signal:M4	1.8 à 2.1
	Vis de terminal d'alimentation:M8	8.0 à 10	N.m.
	Vis de montage:M6	4.25 à 5.75

Électrique Caractéristiques de L'IGBT t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe (BR )Le CES	Collecteur-Émetteur Tension de rupture	t j = 25 ℃	1200			V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 ℃			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 ℃			400	nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte tension	Je C = 48 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 ℃	5.0	5.8	6.5	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 1200 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃		1.70	2.15	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 1200 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃		2.00		V. Le groupe

Caractéristiques de commutation

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =1200A, r Gon = 1,8Ω,R Goff = 0,62Ω, V. Le groupe Généralement générés =±15V,T j = 25 ℃		550		N.S.
t r	Il est temps de monter.			230		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			830		N.S.
t F	Temps d'automne			160		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			/		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			/		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C = une puissance de sortie de l'air supérieure à 300 W; r Gon = 1,8Ω,R Goff = 0,62Ω, V. Le groupe Généralement générés =±15V,T j = 125 ℃		650		N.S.
t r	Il est temps de monter.			240		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			970		N.S.
t F	Temps d'automne			190		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			246		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			189		Je suis désolé.
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		85.5		NF
C oes	Capacité de sortie			4.48		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			3.87		NF
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V, t j = 125 ℃, V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V		4800		Une
r Le gint	Porte intérieure Résistance			1.9		Oh
L CE	Inductivité de déplacement			15		NH
r CC+EE	Conducteur de module Résistance, Terminal au chip			0.10		mΩ

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F = 1200A	t j = 25 ℃		1.65	2.05	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F = 1200A	t j = 125 ℃		1.65		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Récupéré charge	Je F = une puissance de sortie de l'air supérieure à 300 W; V. Le groupe r =600V, r Gon = 0,6Ω, V. Le groupe Généralement générés =-15V	t j = 25 ℃		112		Le taux de décharge
Q: Le numéro r	Récupéré charge		t j = 125 ℃		224		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 25 ℃		850		Une
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 125 ℃		1070		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 25 ℃		48.0		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 125 ℃		96.0		Je suis désolé.

Caractéristique thermique ics

Le symbole	Paramètre	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
r θ JC	Les points de jonction (par IGB) T)		22.1	K/kW
r θ JC	Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)		36.8	K/kW
r θ CS	Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite)	6		K/kW
Poids	Poids Module	1500		g