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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD1200SGT120A3S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 1200A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT, produit par STARPOWER. 1200V 1200A.

Caractéristiques

  • Faible VCE(sat)TranchéeL'IGBTTechnologie
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat)avecpositifsTempératurecoefficient
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en AlSiC pour une capacité de cycle de haute puissance
  • Substrate AlN pour une faible résistance thermique

Typique Applications

  • Convertisseurs haute puissance
  • Pilotes de moteur
  • Variateurs de courant alternatif

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation tC= 25 à moins Autrement Noté

 

Le symbole

Description

Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.

Unités

V. Le groupeLe CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupeGES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

JeC

Courant Collecteur @tC= 25

@ TC= 80

2100

1200

Une

Jecm

Courant collecteur pulsé tP=1MS

2400

Une

JeF

Diode à dérive continuele loyer

1200

Une

JeFM

Courant Avant Maximum du Diode tP=1ms

2400

Une

Pd

Puissance maximale Dissipation @ Tj=175

7.61

KW

tjmax

Température maximale de jonction

175

tGST

Température de stockageAutonomie

-40 à +125

V. Le groupeISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V. Le groupe

Montage Couple

Vis de terminal de signal:M4

1.8 à 2.1

 

Vis de terminal d'alimentation:M8

8.0 à 10

N.m.

Vis de montage:M6

4.25 à 5.75

 

 

 

Électrique Caractéristiques de L'IGBT tC= 25 à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

 

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe(BR)Le CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

tj= 25

1200

 

 

V. Le groupe

JeLe CES

Le collecteur Coupe-Éteint

Actuel

V. Le groupeCE=V. Le groupeLe CES,V. Le groupeGénéralement générés=0V,tj= 25

 

 

5.0

Le nombre de

JeGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupeGénéralement générés=V. Le groupeGES,V. Le groupeCE=0V, tj= 25

 

 

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

 

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupeGénéralement générés(Le)

seuil d'émetteur de porte tension

JeC= 48Le nombre de,V. Le groupeCE=V. Le groupeGénéralement générés, tj= 25

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

 

V. Le groupeCE (sat)

 

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

JeC= 1200 A,VGénéralement générés= 15 V, tj= 25

 

1.70

2.15

 

V. Le groupe

JeC= 1200 A,VGénéralement générés= 15 V, tj= 125

 

2.00

 

Caractéristiques de commutation

 

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

td(sur)

Temps de retard d'activation

 

 

V. Le groupeCC=600V,IC=1200A,

rGon=1,8Ω,rGoff= 0,62Ω,V. Le groupeGénéralement générés=±15V,Tj= 25

 

550

 

N.S.

tr

Il est temps de monter.

 

230

 

N.S.

td(Éteint)

Débranchement Temps de retard

 

830

 

N.S.

tF

Temps d'automne

 

160

 

N.S.

E. Je suis désolé.sur

On le met en marche Le changement Perte de

 

/

 

Je suis désolé.

E. Je suis désolé.Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

 

/

 

Je suis désolé.

td(sur)

Temps de retard d'activation

 

 

V. Le groupeCC=600V,IC= une puissance de sortie de l'air supérieure à 300 W;    

rGon= 1,8Ω,RGoff= 0,62Ω,V. Le groupeGénéralement générés=±15V,Tj= 125

 

650

 

N.S.

tr

Il est temps de monter.

 

240

 

N.S.

td(Éteint)

Débranchement Temps de retard

 

970

 

N.S.

tF

Temps d'automne

 

190

 

N.S.

E. Je suis désolé.sur

On le met en marche Le changement Perte de

 

246

 

Je suis désolé.

E. Je suis désolé.Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

 

189

 

Je suis désolé.

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupeCE= 25V, f=1 MHz,

V. Le groupeGénéralement générés=0V

 

85.5

 

NF

Coes

Capacité de sortie

 

4.48

 

NF

Crés

Transfert inverse

Capacité

 

3.87

 

NF

 

JeSC

 

Données SC

tP≤ 10 μs,VGénéralement générés=15 V,

tj= 125℃,

V. Le groupeCC=900V, V. Le groupeMEC≤1200V

 

 

4800

 

 

Une

rLe gint

Porte intérieure

Résistance

 

 

1.9

 

Oh

LCE

Inductivité de déplacement

 

 

15

 

NH

 

rCC+EE

Conducteur de module

Résistance,

Terminal au chip

 

 

 

0.10

 

 

 

Électrique Caractéristiques de Diode tC= 25 à moins Autrement Noté

 

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupeF

Diode vers l'avant

tension

JeF= 1200A

tj= 25

 

1.65

2.05

V. Le groupe

tj= 125

 

1.65

 

Q: Le numéror

Récupéré

charge

JeF= une puissance de sortie de l'air supérieure à 300 W;

V. Le grouper=600V,

rGon= 0,6Ω,

V. Le groupeGénéralement générés=-15V

tj= 25

 

112

 

Le taux de décharge

tj= 125

 

224

 

JeRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

tj= 25

 

850

 

Une

tj= 125

 

1070

 

E. Je suis désolé.Réc

RécupérationÉnergie

tj= 25

 

48.0

 

Je suis désolé.

tj= 125

 

96.0

 

Caractéristique thermiqueics

Le symbole

Paramètre

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

rθJC

Les points de jonction (par IGB)T)

 

19.7

K/kW

rθJC

Les points de contact entre les deux cas (par D)iode)

 

31.3

K/kW

rθCS

Boîtier à dissipateur (application de graisse conductricefaite)

8

 

K/kW

Poids

Poids     Module

1050

 

g

 

Le schéma

image(be01ae9343).png

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