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Module IGBT 1700V

Module IGBT 1700V

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GD1200HFX170C3S, Module IGBT, Module IGBT à grand courant, STARPOWER

1700V 1200A, A3

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD1200HFX170C3S
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par STARPOWER. 1 700V 1200Une ,A3 .

CARACTÉRISTIQUES

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de jonction 175oC
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Convertisseurs haute puissance
  • Entraînements de moteur
  • Éoliennes

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

1965

1200

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

2400

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T vj = 175 o C

6.55

KW

Diode

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

1700

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

1200

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

2400

Une

Module

Le symbole

Description

valeur

unité

t vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

t vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

4000

V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =1200A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 25 o C

1.85

2.30

V. Le groupe

Je C =1200A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 125 o C

2.25

Je C =1200A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 150 o C

2.35

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =48.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t vj = 25 o C

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t vj = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.6

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

142

NF

C rés

Transfert inverse Capacité

3.57

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V

11.8

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V. Le groupe Généralement générés =-10/+15V,

L s =110nH,T vj = 25 o C

700

N.S.

t R

Il est temps de monter.

420

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1620

N.S.

t F

Temps d'automne

231

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

616

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

419

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V. Le groupe Généralement générés =-10/+15V,

L s =110nH,T vj = 125 o C

869

N.S.

t R

Il est temps de monter.

495

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1976

N.S.

t F

Temps d'automne

298

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

898

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

530

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V. Le groupe Généralement générés =-10/+15V,

L s =110nH,T vj = 150 o C

941

N.S.

t R

Il est temps de monter.

508

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

2128

N.S.

t F

Temps d'automne

321

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

981

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

557

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t vj = 150 o C ,V. Le groupe CC =1000V,

V. Le groupe MEC ≤ 1700V

4800

Une

Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =1200A,V Généralement générés =0V,T vj = 25 o C

1.80

2.25

V. Le groupe

Je F =1200A,V Généralement générés =0V,T vj = 125 o C

1.90

Je F =1200A,V Généralement générés =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V Généralement générés =-10V, L s =110nH,T vj = 25 o C

217

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

490

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

108

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V Généralement générés =-10V, L s =110nH,T vj = 125 o C

359

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

550

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

165

Je suis désolé.

Q: Le numéro R

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V Généralement générés =-10V, L s =110nH,T vj = 150 o C

423

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

570

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

200

Je suis désolé.

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.37

R le CJJ

Réservoir -à -cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

22.9 44.2

K/kW

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Le couple de connexion du terminal, Vire M8 Le couple de montage Vire M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m.

g

Poids de Module

1500

g

Le schéma

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