Module IGBT 1200V

GD100PIX120C6SNA, Module IGBT, STARPOWER

GD100PIX120C6SNA, Module IGBT, STARPOWER

1200V 150A, emballage : C6

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD100PIX120C6SNA

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 100A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Température maximale de la jonction 175 ℃
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Invertisseurs pour moteur
Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Unité de mesure de la pression

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C	155 100	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	200	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C	511	Le

Déplacement de diode

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive Âge	1200	V. Le groupe
Je F	Diode courant continu avant Cu Rente	100	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	200	Une

Diode-redresseur

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive Âge	1600	V. Le groupe
Je o	Courant de sortie moyen 5 0Hz/60Hz, onde sinusoïdale	100	Une
Je Le FSM	Courant de pointe P =10ms @ T j = 25o C @ T j = 150 o C	1150 880	Une
Je 2t	Je 2t-valeur,t P =10ms @ T j = 25 o C @ T j = 150 o C	6600 3850	Une 2s

Frein IGBT

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C	87 50	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	100	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C	308	Le

Diode -Frein

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive Âge	1200	V. Le groupe
Je F	Diode courant continu avant Cu Rente	25	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	50	Une

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t jmax	Température maximale de la jonction (inversor, frein) Température maximale de la jonction (redresseur)	175 150	o C
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
t GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute	2500	V. Le groupe

L'IGBT -Invertisseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.70	2.15	V. Le groupe
		Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		1.95
		Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C		2.00
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =4.00 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			1.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance à la porte interne ance			7.5		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		10.4		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.29		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V		0.78		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C		218		N.S.
t R	Il est temps de monter.			35		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			287		N.S.
t F	Temps d'automne			212		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			9.23		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			6.85		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 o C		242		N.S.
t R	Il est temps de monter.			41		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			352		N.S.
t F	Temps d'automne			323		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			13.6		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			9.95		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150 o C		248		N.S.
t R	Il est temps de monter.			43		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			365		N.S.
t F	Temps d'automne			333		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			14.9		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			10.5		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V		400		Une

Diode -Invertisseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =100A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.85	2.30	V. Le groupe
		Je F =100A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C		1.90
		Je F =100A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C		1.95
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =600V,I F =100A, -di/dt=2500A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 25 o C		5.89		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			103		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			3.85		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =600V,I F =100A, -di/dt=2100A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 125 o C		13.7		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			109		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			6.64		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =600V,I F =100A, -di/dt=1950A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 150 o C		15.6		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			109		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			7.39		Je suis désolé.

Diode -redresseur Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =100A, t j = 150 o C		0.95		V. Le groupe
Je R	Courant inverse	t j = 150 o C,V R =1600V			2.0	Le nombre de

L'IGBT -Frein Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =50A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		1.70	2.15	V. Le groupe
		Je C =50A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		1.95
		Je C =50A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C		2.00
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte Tension	Je C =2.00 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			1.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance interne de la porte			0		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		5.18		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.15		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V		0.39		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =50A, R g =15Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C		171		N.S.
t R	Il est temps de monter.			32		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			340		N.S.
t F	Temps d'automne			82		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			6.10		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			2.88		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =50A, R g =15Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 o C		182		N.S.
t R	Il est temps de monter.			43		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			443		N.S.
t F	Temps d'automne			155		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			8.24		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			4.43		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =50A, R g =15Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 150 o C		182		N.S.
t R	Il est temps de monter.			43		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			464		N.S.
t F	Temps d'automne			175		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			8.99		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			4.94		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V		200		Une

Diode -Frein Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =25A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.85	2.30	V. Le groupe
		Je F =25A,V Généralement générés =0V,T j = 125 o C		1.90
		Je F =25A,V Généralement générés =0V,T j = 150 o C		1.95
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 25 o C		2.9		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			55		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			0.93		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 125 o C		5.1		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			58		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			1.72		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R =600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V t j = 150 o C		5.6		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			60		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			2.01		Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
R 25	Résistance nominale			5.0		KΩ
∆R/R	Déviation de R 100	t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	MW
B 25 à 50%	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.		3375		k
B 25/80	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.		3411		k
B 25/100	Valeur B	R 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.		3433		k

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
L CE	Inductivité de déplacement		40		NH
R CC+EE R AA + CC ’	Module de résistance au plomb nce,Terminal à Puce		4.00 3.00		mΩ
R le CJJ	Réservoir -à -cas (parIGBT -Invertisseur ) Jonction-à-Case (par Diode-invert eur) Junction-to-Case (par Diode-rectif ieur) Réservoir -à -cas (parIGBT -Frein -Hachoir ) Junction-to-Case (par Diode-frein-chop par)			0.293 0.505 0.503 0.487 1.233	Pour les produits de base
R thCH	cas -à -Disjoncteur (parIGBT -Invertisseur ) Couvercle-dissipateur de chaleur (par Diode-in verter) Case-to-Heatsink (par Diode-re ctifieur) cas -à -Disjoncteur (parIGBT -Frein -Hachoir )Couvercle-dissipateur de chaleur (par Diode-frein- chopper) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009		Pour les produits de base
M	Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur	3.0		6.0	N.m.
g	Poids de Module		300		g