GD100HFX170C1S, Module IGBT, STARPOWER

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1700V 100A. Je suis désolé.

CARACTÉRISTIQUES

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Température maximale de la jonction 175 ℃
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Invertisseurs pour moteur
Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1700	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C	173 112	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	200	Une
P d	Le montant maximal Puissance Dissipation @ t vj = 175 o C	666	Le

Diode

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive Âge	1700	V. Le groupe
Je F	Diode courant continu avant Cu Rente	100	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	200	Une

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t vjmax	Température maximale de jonction	175	o C
t vjop	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	o C
t GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= Une minute.	4000	V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 25 o C		1.85	2.20	V. Le groupe
		Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 125 o C		2.25
		Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 150 o C		2.35
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte Tension	Je C = 4,0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t vj = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t vj = 25 o C			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t vj = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance interne de la porte			7.5		Oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		12.0		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.29		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V		0.94		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =100A, R g = 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, Ls=60nH, t vj = 25 o C		272		N.S.
t R	Il est temps de monter.			55		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			369		N.S.
t F	Temps d'automne			389		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			28.2		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			16.4		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =100A, R g = 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, Ls=60nH, t vj = 125 o C		296		N.S.
t R	Il est temps de monter.			66		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			448		N.S.
t F	Temps d'automne			576		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			40.1		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			24.1		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =100A, R g = 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, Ls=60nH, t vj = 150 o C		302		N.S.
t R	Il est temps de monter.			69		N.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			463		N.S.
t F	Temps d'automne			607		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			43.9		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			25.7		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, t vj = 150 o C ,V. Le groupe CC =1000V V. Le groupe MEC ≤ 1700V		400		Une

Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =100A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C		1.80	2.25	V. Le groupe
		Je F =100A,V Généralement générés =0V,T vj = 125 o C		1.90
		Je F =100A,V Généralement générés =0V,T vj = 150 o C		1.95
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =100A, -di/dt=1290A/μs,V Généralement générés =-15V Ls=60nH, t vj = 25 o C		23.5		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			85		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			11.5		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =100A, -di/dt=1020A/μs,V Généralement générés =-15V Ls=60nH, t vj = 125 o C		36.6		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			88		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			18.1		Je suis désolé.
Q: Le numéro R	Charge récupérée	V. Le groupe R = 900V,I F =100A, -di/dt=960A/μs,V Généralement générés =-15V Ls=60nH, t vj = 150 o C		46.2		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			91		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			24.6		Je suis désolé.

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
L CE	Inductivité de déplacement			30	NH
R CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		0.65		mΩ
R le CJJ	Réservoir -à -cas (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)			0.225 0.391	Pour les produits de base
R thCH	cas -à -Disjoncteur (parIGBT )Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 Diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)		0.158 0.274 0.050		Pour les produits de base
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
g	Poids de Module		150		g