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Module IGBT 750V

Module IGBT 750V

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GD1000HTA75P6HT

750V 1000A,

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD1000HTA75P6HT
Appurtenance:

Brochure produit :TÉLÉCHARGER

  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 750V 1000Une ,P6 .

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Faibles pertes de commutation
  • Capacité de court-circuit de 6 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Baseplate en cuivre isolé avec technologie AMB Si3N4

Applications Typiques

  • Application automobile
  • Véhicule hybride et électrique
  • Invertisseurs pour moteur

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t F = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Les valeurs

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

750

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté Rente

1000

Une

Je C

Courant collecteur @ T F = 125 o C

450

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

2000

Une

P d

Dissipation de puissance maximale Le projet @ t F =75 o C t vj = 175 o C

1282

Le

Diode

Le symbole

Description

Les valeurs

unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive Âge

750

V. Le groupe

Je FN

Collecteur Cu implémenté Rente

1000

Une

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

450

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

2000

Une

Module

Le symbole

Description

valeur

unité

t vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

t vjop

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pendant 10 secondes dans une période de 30 secondes, occurrence maximum 3000 fois sur toute la durée de vie

-40 à +150 +150 à +175

o C

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

d Creepage

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

9.0 9.0

mm

d clair

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

4.5 4.5

mm

L'IGBT Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 25 o C

1.10

1.35

V. Le groupe

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 150 o C

1.10

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 175 o C

1.10

Je C =1000A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 25 o C

1.40

Je C =1000A,V Généralement générés = 15 V, t vj = 175 o C

1.60

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte tension

Je C =12.9 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t vj = 25 o C

5.5

6.4

7.0

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t vj = 25 o C

1.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t vj = 25 o C

400

nA

r Le gint

Résistance interne de la porte

1.2

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =50V, f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

66.7

NF

C oes

Capacité de sortie

1.50

NF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.35

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe CE =400V,I C =450A, V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V

4.74

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C =450A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj = 25 o C

244

N.S.

t r

Il est temps de monter.

61

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

557

N.S.

t F

Temps d'automne

133

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

11.0

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

22.8

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C =450A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj = 150 o C

260

N.S.

t r

Il est temps de monter.

68

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

636

N.S.

t F

Temps d'automne

226

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

16.9

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

32.2

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C =450A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj = 175 o C

264

N.S.

t r

Il est temps de monter.

70

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

673

N.S.

t F

Temps d'automne

239

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

19.2

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

33.6

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤6μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t vj = 25 o C,V CC =400V, V. Le groupe MEC ≤750V

4900

Une

t P ≤3μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t vj = 175 o C,V CC =400V, V. Le groupe MEC ≤750V

3800

Diode Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant tension

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.40

1.65

V. Le groupe

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T vj = 150 o C

1.35

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T vj = 175 o C

1.30

Je F =1000A,V Généralement générés =0V,T vj = 25 o C

1.80

Je F =1000A,V Généralement générés =0V,T vj = 175 o C

1.80

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =400V,I F =450A,

-di/dt=7809A/μs,V Généralement générés = 8V L s =24 NH ,t vj = 25 o C

18.5

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

303

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

3.72

Je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =400V,I F =450A,

-di/dt=6940A/μs,V Généralement générés = 8V L s =24 NH ,t vj = 150 o C

36.1

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

376

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

8.09

Je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =400V,I F =450A,

-di/dt=6748A/μs,V Généralement générés = 8V L s =24 NH ,t vj = 175 o C

40.1

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

383

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

9.01

Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

r 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de r 100

t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

r 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.

3375

k

B 25/80

Valeur B

r 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.

3411

k

B 25/100

Valeur B

r 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.

3433

k

Module Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

L CE

Inductivité de déplacement

8

NH

r CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.75

P

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

t plaque de base <40 o C

t plaque de base >40 o C

(pression relative)

2.5 2.0

Barre

r thJF

Réservoir -à -Réfrigération Fluide (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) V/ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 o C

0.068 0.105

0.078 0.120

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

g

Poids de Module

750

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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