Y50ZKG,diode de récupération rapide

La partie n° 1. Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente.

Brand:

TECHSEM

Spu:

Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente.

Appurtenance:

Brochure produit :TÉLÉCHARGER

Je _T(AV)

1061Une

V. Le groupe _RRM

4000V 4200V

4500V 5000V

CARACTÉRISTIQUES

Applications Typiques

Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai		Tj( ℃ )	valeur			unité
Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai		Tj( ℃ )	min	Type	max	unité
IF(AV)	Courant direct moyen	180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,	TC=85 ℃				1061	Une
RRVM	Voltage inverse de pointe répétitif	tp = 10 ms		150	4000		5000	V. Le groupe
RSI	Courant de crête répétitif	à V _RRM		150			100	Le nombre de
MFI	Courant de surtension avant	10ms onde sinusoïdale VR=0.6V _RRM		150			15	kA
I2t	I2t pour coordination de fusion	10ms onde sinusoïdale VR=0.6V _RRM		150			1125	Une ²s*10 ³
VFO	Voltage de seuil			150			1.73	V. Le groupe
rF	Résistance de pente directe			150			0.51	mΩ
VFM	Tension directe de crête	Les mesures de sécurité doivent être prises en fonction des exigences de la norme ISO.		25			3.50	V. Le groupe
MRI	Courant de récupération inverse	Les capacités de décharge doivent être calculées en fonction des niveaux de tension de l'appareil.		150		330		Une
le	Temps de récupération inverse					10		μs
Je suis désolé.	Frais de recouvrement					1500	1800	µC
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	À 180 ° force de serrage sinusoïdale doublement refroidie 24 kN					0.020	。C /W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur						0.005	。C /W
FM	Force de montage				19		26	kN
Tvj	température de jonction				-40		150	℃
TSTG	Température de stockage				-40		160	℃
Wt	Poids					440		g
Le schéma	ZT50cT