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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD300SGU120C2S, Module IGBT, STARPOWER

1200V 300A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 300A.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT NPT
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • Faibles pertes de commutation
  • Robuste avec des performances ultra rapides
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique APPLICATIONS

  • Les sources d'alimentation en mode commutateur
  • Chauffage par induction
  • Soudeuse électronique

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation T C = 25 à moins autrement noté

Le symbole

Description

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Unités

VCES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

VGES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

IC

Courant Collecteur @ TC=25℃

@ TC=80°C

440

300

Une

MIC

Courant Collecteur Impulsé tp=1ms

600

Une

Si

Courant continu en avant de la diode @ TC=80℃

300

Une

MFI

Courant Avant Maximum du Diode tp=1ms

600

Une

PD

Dissipation de puissance maximale @ Tj=150℃

2272

Le

Tjmax

Température maximale de jonction

150

TSTG

Plage de température de stockage

-40 à +125

VISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V. Le groupe

Le couple de montage

Vis de terminal de signal:M4

1.1 à 2.0

Écrou de borne de puissance:M6

2,5 à 5,0

N.m.

Vis de montage:M6

3,0 à 5,0

Électrique Caractéristiques de L'IGBT T C = 25 à moins autrement noté

Caractéristiques hors

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V(BR)CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

Tj=25℃

1200

V. Le groupe

Le CIEM

Coupe du collecteur

Actuel

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

le nombre de

IGES

Courant de fuite de l'émetteur de la porte

Les températures sont calculées en fonction des températures de l'air.

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

VGE (ème)

Voltage de seuil de la porte émetteur

Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un système de mesure de l'échantillon.

4.4

5.2

6.0

V. Le groupe

VCE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un système de mesure de la température.

3.10

3.55

V. Le groupe

Les données de la série de tests sont fournies à l'aide de la méthode suivante:

3.45

Caractéristiques de commutation

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 300A, R G = 3,3Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, T j = 25

662

n.S.

t r

Il est temps de monter.

142

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

633

n.S.

t f

Temps d'automne

117

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

19.7

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

22.4

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 300A, R G = 3,3Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, T j = 125

660

n.S.

t r

Il est temps de monter.

143

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

665

n.S.

t f

Temps d'automne

137

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

24.9

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

28.4

je suis désolé.

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 30V, f=1MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

25.3

nF

C oes

Capacité de sortie

2.25

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.91

nF

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V,

T j = 125 ℃, V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

2550

Une

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Conducteur de module

Résistance,

Terminal au chip

0.18

Électrique Caractéristiques de Diode T C = 25 à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

Tension

Je F = 300A

T j = 25

1.82

2.25

V. Le groupe

T j = 125

1.95

Q: Le numéro r

Récupéré

Charge

Je F = 300A,

V. Le groupe R =600V,

R G = 3,3Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-15V

T j = 25

29.5

le taux de décharge

T j = 125

42.3

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

T j = 25

210

Une

T j = 125

272

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

T j = 25

16.4

je suis désolé.

T j = 125

22.7

Caractéristique thermique ics

Le symbole

Paramètre

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

R θ JC

Les points de jonction (par IGB) T)

0.055

Pour les produits de base

R θ JC

Les points de contact entre les deux cas (par D) Iode)

0.092

Pour les produits de base

R θ CS

Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite)

0.035

Pour les produits de base

Poids

Poids Module

300

g

Le schéma

image(6b521639e0).png

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