H50ZPU, Diode redresseuse

Je _T(AV)

900Une

V. Le groupe _RRM

8100V 8300V

8500V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés

TC=85 ℃

150

900

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

8000

8500

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM tp = 10 ms

150

200

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

Onde sinusoïdale de 10ms. VR=0.6VRRM

150

10

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

500

10³Une ²s

VFO

Voltage de seuil

150

1.00

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

1.00

mΩ

VFM

Tension directe de crête

IFM=1500A, F=24kN

25

2.60

V. Le groupe

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

4000

µC

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinusoïdal. refroidi des deux côtés Force de serrage 24kN

0.022

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

0.005

FM

Force de montage

19

26

kN

Tvj

température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

560

g

Le schéma

ZT50dT