YMIF650-45,IGBT Modul,4500V 650A

IGBT Modul 4500V

YMIF650-45, IGBT Moduli, 4500V 650A

IGBT Modul,4500V 650A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF650-45

kirish soʻzlari
koʻrinish

kirish soʻzlari

xususiyatlari

SPT+chip-set past o'zgarishOʻzlashtirishyo'qotishlari
pastOʻzlashtirishvCEsat
Past drayverOʻzlashtirishkuchlanish
alSiC asosiy plitasi yuqoriOʻzlashtirishkuchlanishOʻzlashtirishctsikllashOʻzlashtirishqobiliyatiy
Past issiqlikOʻzlashtirishqarshilik

Oddiyqo'llanmalar

Tortishish drayverlari
DC Chopper
Yuqori voltli inverterni/konvertorlar

Oʻzlashtirish

Maksimal baholangan qiymatlar

Parametr/参数	Simvol/符号	Shartlar/条件	daqiqa	maksimal	birligi
Kollektor-emitter kuchlanishiOʻzlashtirish集电极-发射极电压	vCES	vGEOʻzlashtirish=0V,TvjOʻzlashtirish≥25°C	Oʻzlashtirish	4500	v
DC KollektsionerOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirishto'plam oqimi	ic	tcOʻzlashtirish=80°C	Oʻzlashtirish	650	a
Pik kollektorOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirish集电极峰值 elektr oqimi	im	tp=1ms,Tc=80°C	Oʻzlashtirish	1300	a
Chiqargichning kuchlanishiOʻzlashtirish栅极发射极电压	vGES	Oʻzlashtirish	-20	20	v
jamiOʻzlashtirishKuchni yoʻq qilishOʻzlashtirishUmumiy quvvat yo'qotilishi	ptot	tcOʻzlashtirish=25°C,perswitch(IGBT)	Oʻzlashtirish	6670	v
DC oldinga oqimOʻzlashtirishTo'g'ri oqim	if	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish	650	a
Pik oldinga oqimOʻzlashtirishPik to'g'ri oqim	iFRM	tp=1ms	Oʻzlashtirish	1300	a
To'lqinOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirishTo'lqin tok	iFSM	vrOʻzlashtirish=0V,TvjOʻzlashtirish=125°C,tp=10ms,Oʻzlashtirishyarim-sinusoida to'lqin	Oʻzlashtirish	5300	a
IGBT qisqaOʻzlashtirishaylanmaOʻzlashtirishSOAOʻzlashtirishIGBT qisqa tutashuv xavfsiz ish maydoni	Oʻzlashtirish tpsc	Oʻzlashtirish vccOʻzlashtirish=3400V,VCEMCHIP≤4500VOʻzlashtirishvGEOʻzlashtirish≤15V,Tvj≤125°C	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish 10	Oʻzlashtirish μs
Izolyatsiya kuchlanishiOʻzlashtirish绝缘电压	visol	1min,f=50Hz	Oʻzlashtirish	10200	v
Junction haroratiOʻzlashtirishbog'lanish harorati	tvj	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish	150	°C
Junction ishlash haroratitemperaturaOʻzlashtirishish bog'lanish harorati	tvj(op)	Oʻzlashtirish	-50	125	°C
Korpus haroratiOʻzlashtirishqoplama harorati	tc	Oʻzlashtirish	-50	125	°C
saqlash haroratiOʻzlashtirishsaqlash harorati	tSTG	Oʻzlashtirish	-50	125	°C
O'rnatish momentlariOʻzlashtirisho'rnatish momenti	ms	Oʻzlashtirish	4	6	Oʻzlashtirish nm
	mt1	Oʻzlashtirish	8	10
	mt2	Oʻzlashtirish	2	3

Oʻzlashtirish

IGBT xususiyat qiymatlari

Parametr/参数	Simvol/符号	Shartlar/条件		daqiqa	turini	maksimal	birligi
KollektorOʻzlashtirish(- emitter)OʻzlashtirishbuzilishOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch 集电极-发射极阻断电压	Oʻzlashtirish v(BR) CES	vGEOʻzlashtirish=0V,IC=10mA,OʻzlashtirishTvj=25°C		Oʻzlashtirish 4500	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish v
Kollektor-emitter to'yinganligiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch 集电极-发射极饱和电压	Oʻzlashtirish vCEsat	icOʻzlashtirish=650A,OʻzlashtirishvGEOʻzlashtirish=15V	Tvj=Oʻzlashtirish25°C	Oʻzlashtirish	2.7	3.2	v
	Oʻzlashtirish vCEsat	icOʻzlashtirish=650A,OʻzlashtirishvGEOʻzlashtirish=15V	Tvj=125°C	Oʻzlashtirish	3.4	3.8	v
Kollektorni to'xtatishOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirishto'plam to'xtash oqimi	iCES	voOʻzlashtirish=4500V,OʻzlashtirishvGEOʻzlashtirish=0V	Tvj=Oʻzlashtirish25°C	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish	10	mA
	iCES	voOʻzlashtirish=4500V,OʻzlashtirishvGEOʻzlashtirish=0V	Tvj=125°C	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish	100	mA
GateOʻzlashtirishoqimOʻzlashtirishqaytish oqimining oqimi	iGES	voOʻzlashtirish=0V,VGEOʻzlashtirish=20V,OʻzlashtirishtvjOʻzlashtirish=125°C		-500	Oʻzlashtirish	500	n
Darvozani-emitterning chegara kuchlanishiOʻzlashtirish栅极发射极阀值电压	vGE(th)	icOʻzlashtirish=160mA,VoOʻzlashtirish=VGE,OʻzlashtirishtvjOʻzlashtirish=25°C		4.5	Oʻzlashtirish	6.5	v
GateOʻzlashtirishtoʻlovOʻzlashtirishqaytish zaryadi	qg	icOʻzlashtirish=650A,VoOʻzlashtirish=2800V,OʻzlashtirishvGEOʻzlashtirish= 15VOʻzlashtirish... koʻrsatilgan.Oʻzlashtirish15V		Oʻzlashtirish	5.4	Oʻzlashtirish	µC
Kirish sig'imiOʻzlashtirishkirish quvvati	cies	Oʻzlashtirish Oʻzlashtirish voOʻzlashtirish=25V,VGEOʻzlashtirish=0V,Oʻzlashtirishf=1MHz,TvjOʻzlashtirish=25°C		Oʻzlashtirish	71.4	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish Oʻzlashtirish Oʻzlashtirish NF
Chiqarish quvvatiOʻzlashtirishchiqarish kondensatori	co'qish			Oʻzlashtirish	4.82	Oʻzlashtirish
Teskari o'tkazish sig'imiOʻzlashtirishTeskari o'tkazish sig'imi	cres			Oʻzlashtirish	1.28	Oʻzlashtirish
Yoqish kechikishiOʻzlashtirishvaqtOʻzlashtirish开通延迟时间	td ((on)	Oʻzlashtirish Oʻzlashtirish Oʻzlashtirish Oʻzlashtirish vccOʻzlashtirish=2800V, icOʻzlashtirish=650A, rgOʻzlashtirish=2.2ΩOʻzlashtirish, vGEOʻzlashtirish=±15V, Menσ=280nH, induktiv yuklama	TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish25Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	420	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish Oʻzlashtirish ns
Yoqish kechikishiOʻzlashtirishvaqtOʻzlashtirish开通延迟时间	td ((on)		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish125Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	528	Oʻzlashtirish
O'sish vaqtiOʻzlashtirishKo'tarilish vaqti	tr		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish25Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	160	Oʻzlashtirish
O'sish vaqtiOʻzlashtirishKo'tarilish vaqti	tr		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish125Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	190	Oʻzlashtirish
O'chirish kechikish vaqtiOʻzlashtirishO'chirish kechikishi	td(o'chirilgan) bilan		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish25Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	2100	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish Oʻzlashtirish ns
O'chirish kechikish vaqtiOʻzlashtirishO'chirish kechikishi	td(o'chirilgan) bilan		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish125Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	2970	Oʻzlashtirish
Pasayish vaqtiOʻzlashtirishtushish vaqti	tf		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish25Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	1600	Oʻzlashtirish
Pasayish vaqtiOʻzlashtirishtushish vaqti	tf		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish125Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	2760	Oʻzlashtirish
Oʻchirilgan oʻchirishOʻzlashtirishyo'qotish energiyasiOʻzlashtirishYoqish yo'qotish energiyasi	ebilan		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish25Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	1000	Oʻzlashtirish	mJ
	ebilan		TvjOʻzlashtirish= 125Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	1600	Oʻzlashtirish	mJ
Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishyo'qotish energiyasiOʻzlashtirishO'chirish yo'qotish energiyasi	eo'chirilgan		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish25Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	2000	Oʻzlashtirish	mJ
	eo'chirilgan		TvjOʻzlashtirish= 125Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	2740	Oʻzlashtirish	mJ
Qisqa tutashuvOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirishQisqa tutashuv oqimi	is	tpsc≤Oʻzlashtirish10μs, VGEOʻzlashtirish=15V,Oʻzlashtirishtvj=Oʻzlashtirish125°C,VccOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish3400V		Oʻzlashtirish	3940	Oʻzlashtirish	a

Oʻzlashtirish

Diod Xususiyat Qiymatlari

Parametr/参数	Simvol/符号	Shartlar/条件		daqiqa	turini	maksimal	birligi
Oldinga KuchlanishOʻzlashtirishOldingi voltaj	vf	ifOʻzlashtirish=650A	TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish25Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	3.2	Oʻzlashtirish	v
Oldinga KuchlanishOʻzlashtirishOldingi voltaj	vf	ifOʻzlashtirish=650A	TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish125Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	3.6	Oʻzlashtirish	v
OrqagaOʻzlashtirishQayta tiklash oqimiOʻzlashtirishTeskari tiklanish toki	irr	Oʻzlashtirish vccOʻzlashtirish=2800V, icOʻzlashtirish=650A, rgOʻzlashtirish=2.2ΩOʻzlashtirish, vGEOʻzlashtirish=±15V, Menσ=280nH, induktiv yuklama	TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish25Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	1200	Oʻzlashtirish	a
	irr		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish125Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	1300	Oʻzlashtirish	a
Qaytarib olinadigan to'lovOʻzlashtirishQayta tiklash zaryadi	qrr		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish25Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	450	Oʻzlashtirish	µC
	qrr		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish125Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	550	Oʻzlashtirish	µC
OrqagaOʻzlashtirishtiklanish vaqtiOʻzlashtirishQaytish tiklanish vaqti	trr		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish25Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	660	Oʻzlashtirish	ns
	trr		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish125Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	750	Oʻzlashtirish	ns
OrqagaOʻzlashtirishenergiyani tiklashOʻzlashtirishTeskari tiklanish energiyasi	erek		TvjOʻzlashtirish=25Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	720	Oʻzlashtirish	mJ
	erek		TvjOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish125Oʻzlashtirish°C	Oʻzlashtirish	860	Oʻzlashtirish	mJ