IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD1200SGT120A3S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Joriy toʻplamtc=25°C

@ Tc=80°C

2100

1200

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1ms

2400

a

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

1200

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

2400

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175°C

7.61

kV

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

tSTG

saqlash haroratimasofasi

-40 dan +125 gacha

°C

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1daqiqa

2500

v

oʻrnatishOʻzlashtirishaylanish vring

Signal terminalning viski:M4

1.8 gachaOʻzlashtirish2.1

Oʻzlashtirish

Kuch terminalining viski:M8

8.0 danOʻzlashtirish10

n.m.

O'rnatish viski:M6

4.25 dan 5.75 gacha

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic= 48mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic=Oʻzlashtirish1200A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.70

2.15

Oʻzlashtirish

v

ic=Oʻzlashtirish1200A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.00

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 1200A,

rGon= 1,8Ω,rGoff= 0,62Ω,vGE=± 15V,TJ=25°C

Oʻzlashtirish

550

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

230

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

830

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

160

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

/

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

/

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=Oʻzlashtirish1200A,Oʻzlashtirish

rGon=Oʻzlashtirish1.8Ω,RGoff= 0,62Ω,vGE=± 15V,TJ= 125°C

Oʻzlashtirish

650

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

240

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

970

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

190

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

246

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

189

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

85.5

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

4.48

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

3.87

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15OʻzlashtirishV,

tJ= 125°C,

vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

4800

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

rGint

Ichki darvoza

qarshilik

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1.9

Oʻzlashtirish

Ω

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

15

Oʻzlashtirish

nH

Oʻzlashtirish

rCC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.10

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=Oʻzlashtirish1200A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.65

2.05

v

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

1.65

Oʻzlashtirish

qr

Qayta tiklangan

toʻlov

if=Oʻzlashtirish1200A,

vr= 600 V,

rGon= 0,6Ω,

vGE= 15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

112

Oʻzlashtirish

μC

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

224

Oʻzlashtirish

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

850

Oʻzlashtirish

a

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

1070

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

48.0

Oʻzlashtirish

mJ

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

96.0

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Oʻzlashtirish

19.7

K/kW

rθJC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

31.3

K/kW

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi)yolgʻonchi)

8

Oʻzlashtirish

K/kW

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishmodul

1050

Oʻzlashtirish

g