IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=90oc

900

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

1800

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175oc

3409

v

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vRRM

Takroriy Pik Qaytish Voltyoshi

1200

v

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

900

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

1800

a

iFSM

O'tkazish Oldin Tok  tp=10ms  @tJ=25ocOʻzlashtirish@ TJ= 150oc

4100

3000

a

i2t

i2t-qiymati,tp=10ms  @ TJ=25oc

@ TJ= 150oc

84000

45000

a2s

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolyatsiya Voltaji  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic=900A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.40

1.85

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic=900A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125oc

Oʻzlashtirish

1.60

Oʻzlashtirish

ic=900A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 175oc

Oʻzlashtirish

1.65

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=24.0mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,

tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=25V,f=100kHz,OʻzlashtirishvGE=0V

Oʻzlashtirish

51.5

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

0.36

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-Oʻzlashtirish15...+15V

Oʻzlashtirish

13.6

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,OʻzlashtirishvGE=-8V/+15V,

tJ=25oc

Oʻzlashtirish

330

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

140

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

842

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

84

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

144

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

87.8

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,OʻzlashtirishvGE=-8V/+15V,

tJ= 125oc

Oʻzlashtirish

373

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

155

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

915

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

135

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

186

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

104

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,OʻzlashtirishvGE=-8V/+15V,

tJ= 175oc

Oʻzlashtirish

390

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

172

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

950

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

162

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

209

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

114

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤8μs,VGE=15V,

tJ= 150oC,Vcc=800V,OʻzlashtirishvMETOʻzlashtirish≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

3200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

tp≤6μs,VGE=15V,

tJ= 175oC,Vcc=800V,OʻzlashtirishvMETOʻzlashtirish≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

3000

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=900A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.55

2.00

Oʻzlashtirish

v

if=900A,VGE=0V,TJ= 125oc

Oʻzlashtirish

1.65

Oʻzlashtirish

if=900A,VGE=0V,TJ= 175oc

Oʻzlashtirish

1.55

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If=900A,

-di/dt=4930A/μs,VGE=-8V,Mens=40nH,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

91.0

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

441

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

26.3

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If=900A,

-di/dt=4440A/μs,VGE=-8V,Mens=40nH,tJ= 125oc

Oʻzlashtirish

141

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

493

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

42.5

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If=900A,

-di/dt=4160A/μs,VGE=-8V,Mens=40nH,tJ= 175oc

Oʻzlashtirish

174

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

536

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

52.4

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

r25

Reyting qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

Oʻzlashtirish

kΩ

∆R/R

Og'ishOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishr100

tc=100Oʻzlashtirishoc,R100=493.3Ω

-5

Oʻzlashtirish

5

%

p25

kuchlanish

tarqalish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20.0

mW

b25/50

B-qiymat

r2=R25exp[B25/50(1/T2- Oʻzingizning

1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3375

Oʻzlashtirish

k

b25/80

B-qiymat

r2=R25exp[B25/80(1/T2- Oʻzingizning

1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3411

Oʻzlashtirish

k

b25/100

B-qiymat

r2=R25exp[B25/100(1/T2- Oʻzingizning

1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3433

Oʻzlashtirish

k

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

20

Oʻzlashtirish

nH

rCC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

Oʻzlashtirish

0.80

Oʻzlashtirish

mΩ

rtJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun)oʻqilgan)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.044

0.076

K/W

Oʻzlashtirish

rtCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (harIGBT)

Korpusdan Isitgichga (per Diode)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (harModul)

Oʻzlashtirish

0.028

0.049

0.009

Oʻzlashtirish

K/W

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishScrew M5

3.0

3.0

Oʻzlashtirish

6.0

6.0

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

350

Oʻzlashtirish

g