IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD450HFL120B3S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

715

450

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

900

A

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

450

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

900

A

P D

Maksimal quvvat J = 1 75°C

2679

W

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

O'rnatish Момент

Kuch terminalining viski:M5

O'rnatish viski:M6

2,5 gacha 5.0

3,0 dan 5.0

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 18,0 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C

5.0

5.8

7.0

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 450A,V GE =15V, T J =25 °C

2.00

2.45

V

Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.20

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g = 2,2Ω,

V GE =±15V, T J =25 °C

220

ns

T R

O'sish vaqti

68

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

475

ns

T F

Pasayish vaqti

55

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

48.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

28.2

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g = 2,2Ω,

V GE =±15V, T J = 125 °C

250

ns

T R

O'sish vaqti

72

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

530

ns

T F

Pasayish vaqti

80

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

66.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

45.0

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

31.8

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

2.13

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.41

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T J = 125 °C, V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1950

A

Q g

Darvoza zaryadi

V CC = 600V,I C = 450A, V GE = - 15 ﹍+15V

4.59

μC

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.7

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.35

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 450A

V GE =0V

T J =25 °C

1.72

2.12

V

T J = 125 °C

1.73

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F = 450A,

V R = 600 V,

R g = 2,2Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

36.2

μC

T J = 125 °C

78.1

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

234

A

T J = 125 °C

314

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

19.1

mJ

T J = 125 °C

36.3

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

0.056

K/W

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.107

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)

0.035

K/W

Og'irlik

Og'irlik Modul

300

g