IGBT Modul 1700V

(Simvol)

 (Parametr)

(Sinov Shartlari)

 (qiymat)

(Birlik)

VCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

v

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

Oʻzlashtirish

± 20

v

I C

Kollektor-emitter oqimi

T holat = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

a

I C(PK)

Pik kollektor oqimi

tP = 1 ms

4800

a

P max

maksimalOʻzlashtirishtransistor quvvat yo'qotilishi

Tvj = 150°C, T holat = 25 °C

19.2

kV

I 2t

 Diode I2t

VR =0V, t P  = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Oʻzlashtirish

Visol

Izolyatsiya kuchlanishi – modulga qarab

 (Umumiy terminallar asosiy plitaga),

AC RMS,1 min, 50Hz

Oʻzlashtirish

4000

Oʻzlashtirish

v

Q PD

Qismiy discharge – modul uchun

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

pc

Tcase = 25 °C  T case  = 25°C agar boshqa ko'rsatilmagan bo'lsa

(Simvol)

 (Parametr)

(Sinov Shartlari)

(min)

 (Tipik)

 (Max)

 (Birlik)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

I CES

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektorni to'xtatish joriy

V GE = 0V, VCE  = VCES

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1

mA

V GE = 0V, VCE  = VCES , T case =125 °C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

40

mA

V GE = 0V, VCE  = VCES , T case =150 °C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

60

mA

I GES

Darvoza oqimi

V GE = ±20V, VCE  = 0V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1

μA

V GE (TH)

Darvoza threshold kuchlanishi

I C = 80mA, V GE  = VCE

5.0

6.0

7.0

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

VCE (sat)

Oʻzlashtirish

 Kollektor-emitter to'yinganligi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

VGE =15V, IC = 2400A

Oʻzlashtirish

1.75

Oʻzlashtirish

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

Oʻzlashtirish

1.95

Oʻzlashtirish

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

Oʻzlashtirish

2.05

Oʻzlashtirish

v

I F

Diodning oldinga oqimi

dc

Oʻzlashtirish

2400

Oʻzlashtirish

a

I FRM

Diodning maksimal oldingi oqimi

t P = 1ms

Oʻzlashtirish

4800

Oʻzlashtirish

a

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

VF(*1)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Diodning oldinga kuchlanishi

IF = 2400A

Oʻzlashtirish

1.65

Oʻzlashtirish

v

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

Oʻzlashtirish

1.75

Oʻzlashtirish

v

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

Oʻzlashtirish

1.75

Oʻzlashtirish

v

Cies

Kirish sig'imi

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

Oʻzlashtirish

400

Oʻzlashtirish

NF

Qg

 Gate zaryadi

±15V

Oʻzlashtirish

19

Oʻzlashtirish

μC

Cres

Teskari o'tkazish sig'imi

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

Oʻzlashtirish

3

Oʻzlashtirish

NF

L M

Modulning induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

10

Oʻzlashtirish

nH

R INT

Ichki tranzistor qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

110

Oʻzlashtirish

μΩ

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

I SC

Oʻzlashtirish

Qisqa tutashuv oqimi, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

12000

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

td(off)

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

Oʻzlashtirish

2320

Oʻzlashtirish

ns

t f

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

500

Oʻzlashtirish

ns

E OFF

O'chirish energiya yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

1050

Oʻzlashtirish

mJ

td(on)

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

450

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

210

Oʻzlashtirish

ns

EON

O'chirish energiya yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

410

Oʻzlashtirish

mJ

Qrr

Diodning teskari tiklanish zaryadi

Oʻzlashtirish

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

Oʻzlashtirish

480

Oʻzlashtirish

μC

I rr

Diodning teskari tiklanish joriy

Oʻzlashtirish

1000

Oʻzlashtirish

a

Erec

Diodning teskari tiklanish energiyasi

Oʻzlashtirish

320

Oʻzlashtirish

mJ

td(off)

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

Oʻzlashtirish

2340

Oʻzlashtirish

ns

t f

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

510

Oʻzlashtirish

ns

E OFF

O'chirish energiya yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

1320

Oʻzlashtirish

mJ

td(on)

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

450

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

220

Oʻzlashtirish

ns

EON

O'chirish energiya yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

660

Oʻzlashtirish

mJ

Qrr

Diodning teskari tiklanish zaryadi

Oʻzlashtirish

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

Oʻzlashtirish

750

Oʻzlashtirish

μC

I rr

Diodning teskari tiklanish joriy

Oʻzlashtirish

1200

Oʻzlashtirish

a

Erec

Diodning teskari tiklanish energiyasi

Oʻzlashtirish

550

Oʻzlashtirish

mJ

td(off)

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

Oʻzlashtirish

2340

Oʻzlashtirish

ns

t f

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

510

Oʻzlashtirish

ns

E OFF

O'chirish energiya yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

1400

Oʻzlashtirish

mJ

td(on)

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

450

Oʻzlashtirish

ns

tr

Ko'tarilish vaqti

Oʻzlashtirish

220

Oʻzlashtirish

ns

EON

O'chirish energiya yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

820

Oʻzlashtirish

mJ

Qrr

Diodning teskari tiklanish zaryadi

Oʻzlashtirish

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

Oʻzlashtirish

820

Oʻzlashtirish

μC

I rr

Diodning teskari tiklanish joriy

Oʻzlashtirish

1250

Oʻzlashtirish

a

Erec

Diodning teskari tiklanish energiyasi

Oʻzlashtirish

620

Oʻzlashtirish

mJ