Y50KFE,Non Simmetrik Tez Oʻtilishi Thyristor

Tez oʻchirish

Y50KFE,simmetrik bo'lmagan tez o'chadigan tiristor

Y50KFE,simmetrik bo'lmagan tez o'chadigan tiristor

No. qism Y50KFE-KT50cT

Brand:

TECHSEM

Spu:

Y50KFE-KT50cT

Appurtenance:

Mahsulot haqida maʼlumot:Yozib olish

Kirish
Koʻrinish

Kirish

Ман T(AV)	1494A
V DRM	1200V~ 2000V
V RRM	1000V~ 1800V
T Q	15~ 55µs

Xususiyatlar

O'zaro joylashgan kuchaytiruvchi eshiklar
Tez yoqish va yuqori di/dt
Pastki o'zgarish yo'qotishlari

Oddiy qoʻllanmalar

Induktiv isitish
Elektron payvandlash uskunalari
O'z-o'zidan o'zgaruvchi inverterlar

Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari			Tj(°C )	qiymat			BIT
Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari			Tj(°C )	Min	Tur	Maksimal	BIT
IT(AV)	O'rtacha yoqilgan holatdagi tok	180° yarim sinus to'lqini 50Hz Ikki tomonlama sovutilgan,		TC=55℃	125			1494	A
IT(AV)	O'rtacha yoqilgan holatdagi tok	180° yarim sinus to'lqini 50Hz Ikki tomonlama sovutilgan,		TC=70℃	125			1243	A
VDRM	Takroriy pik o'chirilgan holat voltaji	tp=10ms			125	1200		2000	V
VRRM	Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi	tp=10ms			125	1000		1800	V
Idrm Irrm	Takroriy cho'qqi oqim	VDRM va VRRM da			125			80	mA
ITSM	To'lqin yoqilgan holatdagi tok	10ms yarm sine to'lqini VR=0.6VRRM			125			17	kA
I2t	Qayta birikish uchun I2t	10ms yarm sine to'lqini VR=0.6VRRM			125			1445	A2s* 103
VTO	Chiziqli kuchlanishni				125			1.57	V
rt	O'rnatilgan holatdagi ko'rinishdagi ko'rinishdagi ko'rinishdagi qarshilik				125			0.21	mΩ
VTM	Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish	ITM=3000A, F=24kN	15 μs≤tq≤28 μs		25			2.50	V
VTM	Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish	ITM=3000A, F=24kN	29 μs≤tq≤55 μs		25			2.10	V
dv/dt	O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi	VDM= 67%VDRM dan 1600A gacha, Gate impuls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A			125			1500	A/μs
Qrr	Qaytarib olish haqi	ITM= 1000A,tp= 4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V			125		750		μC
Tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM= 1000A,tp= 4000μs,VR= 100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs			125	15		55	μs
IGT	Eshikni ishga tushirish tok	VA= 12V, IA= 1A			25	40		300	mA
Vgt	Eshikni ishga tushirish kuchlanishi					0.9		3.0	V
IH	Ushlab turish toki					20		500	mA
IL	Qayta ushlab turish toki							1000	mA
VGD	Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi	VDM=67%VDRM			125			0.3	V
Rth(j-c)	Termal qarshilik kesishdan qutiga	1800 sinusda ikki tomonlama sovutilgan 24 kN tirnoq kuchi						0.020	。C /W
Rth(c-h)	Termal qarshilik korpusdan issiqlik chiqaruvchiga	1800 sinusda ikki tomonlama sovutilgan 24 kN tirnoq kuchi						0.005	。C /W
Fm	O'rnatish kuchi					19		26	KN
Tvj	Junction harorati					-40		125	°C
TSTG	Saqlash harorati					-40		140	°C
Wt	Og'irlik						440		g
Koʻrinish	KT50cT