IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD2400SGT120C4S

Birliklar

VCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

VGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

МанC

Kollektor oqimi @TC=25°C

@ TC= 100°C

3800

2400

A

Манm

Pulsli kollektor oqimi tP= 1ms

4800

A

МанF

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

2400

A

МанFm

Diode maksimal oldinga oqim tP= 1 ms

4800

A

PD

Maksimal quvvatJ= 175°C

12.9

кВт

Tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

Tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

TSTG

Saqlanish haroratiDiapazon

-40 dan +125 gacha

°C

VISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1Min

3400

V

O'rnatish Момент

Signal terminalning viski:M4

1.8 gacha 2.1

Kuch terminalining viski:M8

8.0 dan 10

N.M

O'rnatish viski:M6

4.25 dan 5.75 gacha

Og'irlik

vaznining Modul

2300

g

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V(BR)CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

TJ=25°C

1200

V

МанCES

Kollektor Кесиш-o'chirilgan

Jorov

VCE=VCES,VGE=0V,TJ=25°C

5.0

mA

МанGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

VGE=VGES,VCE=0V, TJ=25°C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

VGE(th)

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

МанC= 96mA,VCE=VGE, TJ=25°C

5.0

5.8

6.5

V

VOʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

МанC= 2400A,VGE=15V, TJ=25°C

1.70

2.15

V

МанC= 2400A,VGE=15V, TJ= 125°C

2.00

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

TD(включено)

O'chirish kechikish vaqti

VCC= 600V,IC= 2400A, RGon= 1,2Ω,

RGoff= 0,3Ω,

VGE=± 15V,TJ=25°C

600

ns

TR

O'sish vaqti

215

ns

TD(o'chirilgan)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

810

ns

TF

Pasayish vaqti

145

ns

Eвключено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

/

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

/

mJ

TD(включено)

O'chirish kechikish vaqti

VCC= 600V,IC= 2400A, RGon= 1,2Ω,

RGoff= 0,3Ω,

VGE=± 15V,TJ= 125°C

695

ns

TR

O'sish vaqti

235

ns

TD(o'chirilgan)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

970

ns

TF

Pasayish vaqti

182

ns

Eвключено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

488

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

382

mJ

Cies

Kirish sig'imi

VCE=25V, f=1Mhz,

VGE=0V

173

NF

Co'qish

Chiqarish quvvati

9.05

NF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

7.85

NF

МанSC

SC ma'lumotlari

TP≤ 10 μs,VGE=15 V,

TJ= 125°C,VCC= 900V, VMET≤ 1200V

9600

A

Qg

Darvoza zaryadi

VCC= 600V,IC= 2400A, VGE= - 15 ﹍+15V

23.0

μC

RGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

0.42

Ω

LCE

Yolgʻizlik induktansiyasi

10

nH

RCC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.12

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

VF

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

МанF= 2400A

VGE=0V

TJ=25°C

1.65

2.05

V

TJ= 125°C

1.65

QR

Qayta tiklangan

Muammaloq

МанF= 2400A,

VR= 600 V,

RGon= 0,3Ω,

VGE= 15V

TJ=25°C

240

μC

TJ= 125°C

460

МанRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

TJ=25°C

1650

A

TJ= 125°C

2150

Erek

Qayta tiklanishenergiya

TJ=25°C

/

mJ

TJ= 125°C

208

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

RθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

11.6

K/kW

RθJC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

19.7

K/kW

RθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi)yolgʻonchi)

4

K/kW