MTC26,Sovutish tiristorini to'g'rilash moduli,Havo sovutish | Velsing tiristorini/to'g'rilash moduli |

Qaynaq tiristor/to'g'rilovchi moduli

MTC26, Qaynaq Thyristor to'plami, Havo sovutish

26A, 800V~1800V, 224H3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTC26

Appurtenance:

Mahsulot haqida maʼlumot:Yozib olish

Kirish
Koʻrinish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

Qaynaq Thyristor to'plami ,M TC26 ，26A, Havo sovutish ,TECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.

VDRM, VRRM

Tur va kontur

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTC26-06-224H3/224H3B MTC26-08-224H3/224H3B MTC26-10-224H3/224H3B MTC26-12-224H3/224H3B MTC26-14-224H3/224H3B MTC26-16-224H3/224H3B MTC26-18-224H3/224H3B

Xususiyatlar ：

Izolyatsiyalangan o'rnatish bazasi 3000V~
Solder joint technology with Kuchaytirilgan quvvat aylanish imkoniyati
Joy va vaznni tejash

Oddiy qoʻllanmalar ：

AC/DC motorli dvigatellar
Turli to'g'rilovchilar
PWM inverter uchun DC ta'minoti

Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( °C )	qiymat			BIT
Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( °C )	Min	Tur	Maksimal	BIT
IT(AV)	O'rtacha yoqilgan holatdagi tok	180° yarim sinus to'lqini 50Hz Bir tomonlama sovutilgan, Tc =85 °C	125			26	A
IT ((RMS)	RMS ish holatidagi tok		125			41	A
Idrm Irrm	Takroriy cho'qqi oqim	VDRM va VRRM da	125			15	mA
ITSM	To'lqin yoqilgan holatdagi tok	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			1.6	kA
I2t	Qayta birikish uchun I2t	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			12.8	10³A ²s
VTO	Chiziqli kuchlanishni		125			0.75	V
rt	Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik		125			7.68	mΩ
VTM	Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish	ITM=80A	25			1.55	V
dv/dt	O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi	Gate manbai 1.5A tr ≤0.5μs Takroriy	125			200	A/μs
IGT	Eshikni ishga tushirish tok	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
Vgt	Eshikni ishga tushirish kuchlanishi			0.6		2.5	V
IH	Ushlab turish toki			10		250	mA
IL	Qayta ushlab turish toki					1000	mA
VGD	Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi	VDM=67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Termal qarshilik kesishdan qutiga	Bir tomonlama sovutilgan, har bir chip uchun				0.90	°C /W
Rth(c-h)	Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida	Bir tomonlama sovutilgan, har bir chip uchun				0.15	°C /W
VISO	Izolyatsiya kuchlanishi	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
Fm	Termal ulanish momenti(M5)			2.5		4.0	N·m
Fm	O'rnatish momenti (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Junction harorati			-40		125	°C
TSTG	Saqlash harorati			-40		125	°C
Wt	Og'irlik				100		g
Koʻrinish	224H3 、224H3B