Barcha toifalar

IGBT Modul 1700V

IGBT Modul 1700V

Bosh sahifa /  Mahsulotlar  /  IGBT moduli /  IGBT Modul 1700V

GD400CUT170C2S,IGBT Moduli,STARPOWER

1700 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CUT170C2S
  • Kirish
  • Koʻrinish
Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqarilgan. 1700V 400A.

Xususiyatlar

  • Past VCE (sat) Oʻrmon IGBT Texnologiya
  • Pastki o'zgarish yo'qotishlari
  • 10 μs qisqa uzilish qobiliyati
  • VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
  • Past induktivlik bilan qoplangan
  • Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
  • DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

  • AC Inverter harakatlantirgichlari
  • O'zgaruvchan rejimli quvvat manbalari

IGBT T C =25 °C agar boshqa belgilangan

Maksimal baholangan qiymatlar

Simvol

Tavsif

GD400CUT170C2S

Birliklar

V CES

Kollektor-Emiter Kuchligi @ T J =25 °C

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C = 25°C

@ T C =80 °C

650

400

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

800

A

P tot

Jami quvvat yo'qotilishi @ T J = 150°C

2403

W

T SC

Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ T J = 150 °C

10

μs

Xususiyatlari

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1700

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

3.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Xususiyatlar toʻgʻrisida

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16mA,V CE =V GE , T J =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 °C

2.00

2.45

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125°C

2.40

Xususiyatlarni oʻzgartirish

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 400A, R g = 3,6Ω,V GE = ± 15V, T J =25 °C

278

ns

T R

O'sish vaqti

81

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

802

ns

T F

Pasayish vaqti

119

ns

E включено

Oʻchirish Oʻzgaruvchan yoʻqotish

104

mJ

E o'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

86

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 400A, R g = 3,6Ω,V GE = ± 15V, T J = 125°C

302

ns

T R

O'sish vaqti

99

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1002

ns

T F

Pasayish vaqti

198

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

V CC = 900V,I C = 400A, R g = 3,6Ω,V GE = ± 15V, T J = 125°C

136

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

124

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

36

пФ

C o'qish

Chiqarish quvvati

1.5

пФ

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.2

пФ

R Gint

Ichki Darvozali Qarshilik tansiq

1.9

Ω

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P 10 μs, V GE =15V, T J = 125 °C V CC = 1000 V, V MET 1700V

1600

A

Diod T C =25 °C agar boshqa belgilangan

Maksimal baholangan qiymatlar

Simvol

Tavsif

GD400CUT170C2S

Birliklar

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Kuchligi @ Tj=25 °C

1700

V

Ман F

DC Oldinga Oqim @ T C =80 °C

100

A

Ман FRM

Takroriy Pik Oldinga Oqim t P = 1 ms

200

A

Ман 2T

Ман 2t-qiymati,V R =0V,T P = 1 0ms,T J = 125 °C

1800

A 2s

Xususiyatlar Qiymatlari

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 100A,V GE =0V

T J =25 °C

1.80

2.20

V

T J = 125°C

1.90

Q R

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Ман F = 100A,

V R = 900V,

di/dt=-2450A/μs, V GE =- 15V

T J =25 °C

29.0

μC

T J = 125°C

48.5

Ман RM

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanish Jorov

T J =25 °C

155

A

T J = 125°C

165

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

15.5

mJ

T J = 125°C

27.5

IGBT moduli

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC + EE

Modul O'tkazuvchan Qarshilik,Terminaldan Chipgacha @ T C =25 °C

0.35

M Ω

R θ JC

Junction-to-Case

(IGBT-inverter,har bir 1/2 Modul o)

0.052

K/W

Junction-to-Case

(DIODE-tormoz-chopper har bir 1/2 Modul)

0.280

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' koʻrsatilgan)

0.035

K/W

T J

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40

125

°C

O'rnatish

Момент

Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M6

2.5

5.0

N.M

O'rnatish Varaq:M6

3.0

5.0

g

Og'irlik из Modul

300

g

Koʻrinish

image(c3756b8d25).png

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

QO'ShMA mahsuloti

Mahsulotlar haqida savollaringiz bormi?

Bizning professional savdo jamoamiz sizning maslahatlaringizni kutmoqda.
Ularning mahsulot ro'yxatini kuzatishingiz va sizni qiziqtirgan har qanday savollarni berishingiz mumkin.

Taklif oling

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000