IGBT Modul 1700V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

VCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

VGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor Tok @ TC=25oC

kollektor oqimi @ TC=65oC

4446

3600

A

ICM

Pulsli Kollektor Tok tp=1ms

7200

A

PD

Maksimal Quvvat Yo'qotilishi @ Tj=175oC

15.3

кВт

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

VRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1700

V

IF

Diod doimiy oldinga oqim

3600

A

MFI

Diode Maksimal Oldinga Tok tp=1ms

7200

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

Tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

^O C

Tjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

^O C

TSTG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

^O C

VISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

VCE(sat)

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE (oʻn)

Darvozani-emitterning chegara kuchlanishi

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

V

ICES

Kollektorning kesilishi

Jorov

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter oqim oqishi

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25oC

400

nA

RGint

Ichki darvoza qarshiligi

0.53

Ω

Cies

Kirish sig'imi

VCE=25V, f=1Mhz,

VGE=0V

240

NF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

8.64

NF

Qg

Darvoza zaryadi

VGE=+15…+15V

21.6

μC

td(on)

O'chirish kechikish vaqti

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

660

ns

tr

O'sish vaqti

280

ns

td(off)

O'chirish kechikish vaqti

1600

ns

tf

Pasayish vaqti

175

ns

EON

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

650

mJ

Eof

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

1100

mJ

td(on)

O'chirish kechikish vaqti

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=125oC

740

ns

tr

O'sish vaqti

290

ns

td(off)

O'chirish kechikish vaqti

1800

ns

tf

Pasayish vaqti

315

ns

EON

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

800

mJ

Eof

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

1500

mJ

td(on)

O'chirish kechikish vaqti

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=150oC

780

ns

tr

O'sish vaqti

295

ns

td(off)

O'chirish kechikish vaqti

1850

ns

tf

Pasayish vaqti

395

ns

EON

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

900

mJ

Eof

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

1600

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

14

kA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

VF

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

1.80

2.25

V

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

1.95

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.90

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

730

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

2600

A

Erec

Energiya qayta tiklanishi

490

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

1350

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

3150

A

Erec

Energiya qayta tiklanishi

950

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

1550

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

3300

A

Erec

Energiya qayta tiklanishi

1100

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

LCE

Yolgʻizlik induktansiyasi

6.0

nH

RCC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.12

mΩ

RthJC

Qoplamaga ulanish (IGBT uchun)

Qoplamaga ulanish (diod bo'yicha)

9.8

16.3

K/kW

RthCH

Issiqlik sinkiga bo'lgan qolip (IGBT uchun)

Issiqlik sinkiga o'xshash kassa (diod bo'yicha)

Issiqlik sinkiga bo'lgan qolip (modul bo'yicha)

6.5

10.7

4.0

K/kW

M

Terminal Connection Torque, Screw M4 Terminal Connection Torque, Screw M8 Mounting Torque, Screw M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Modulning og'irligi

2300

g