IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1350

900

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

1800

A

P D

Maksimal quvvat J = 150 O C

7.40

кВт

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

900

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

1800

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =800A,V GE =15V, T J =25 O C

2.90

3.35

V

Ман C =800A,V GE =15V, T J = 125 O C

3.60

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16.0 mA,V CE =V GE , T J =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

53.1

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

3.40

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

8.56

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C =800A, R g = 1,3Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

90

ns

T R

O'sish vaqti

81

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

500

ns

T F

Pasayish vaqti

55

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

36.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

41.3

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C =800A, R g = 1,3Ω,

V GE =±15V, T J = 125O C

115

ns

T R

O'sish vaqti

92

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

550

ns

T F

Pasayish vaqti

66

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

52.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

59.4

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 125 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

5200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =800A,V GE =0V,T J =25 O C

1.95

2.40

V

Ман F =800A,V GE =0V,T J = 125O C

1.95

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, T J =25 O C

56

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

550

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

38.7

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, T J = 125O C

148

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

920

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

91.8

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

12

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.19

mΩ

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

16.9

26.2

K/kW

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (IGBT bo'yicha)

Qopqoqdan sinkgacha (diod bo'yicha)

19.7

30.6

K/kW

R θ CS

Qopqoqdan cho'kishgacha

6.0

K/kW

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4 Terminal ulashishi Moment, Burg'u M8 Montaj vringli kuch M6 shrub

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Og'irlik из Modul

1500

g