IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

1009

600

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

1200

A

P D

Maksimal quvvat = 150 O C

4032

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

600

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

1200

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 600A,V GE =15V, T J =25 O C

2.15

2.60

V

Ман C = 600A,V GE =15V, T J = 125 O C

2.65

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =24.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.5

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

40.8

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

2.64

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

6.35

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A, R g =3.3Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

673

ns

T R

O'sish vaqti

207

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

995

ns

T F

Pasayish vaqti

154

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

23.1

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

88.5

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A, R g =3.3Ω,

V GE =±15V, T J = 125O C

678

ns

T R

O'sish vaqti

211

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1047

ns

T F

Pasayish vaqti

164

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

29.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

95.4

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 125 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

3600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 600A,V GE =0V,T J =25 O C

1.65

2.10

V

Ман F = 600A,V GE =0V,T J = 125O C

1.65

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=2750A/μs,V GE =±15V, T J =25 O C

55.7

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

288

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

26.4

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=2750A/μs,V GE =±15V, T J = 125O C

98.5

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

375

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

48.5

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.18

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.031

0.070

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.051

0.114

0.035

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4 Terminal ulashishi Moment, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

6.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g