Barcha toifalar

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

Bosh sahifa /  Mahsulotlar  /  IGBT moduli /  IGBT Modul 1200V

GD600HTA120P6HT,IGBT Moduli,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HTA120P6HT
  • Kirish
  • Koʻrinish
Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqarilgan. 1200V 600A.

Xususiyatlar

  • Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
  • Pastki o'zgarish yo'qotishlari
  • 6μs qisqa uzilish qobiliyati
  • VCE(sat) bilan ijobiy Harorat Koeffitsiyenti
  • Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
  • Past induktivlik bilan qoplangan
  • Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
  • Izolyatsiyalangan Mosh pinfin asos фойдаланув Si3N4 AMB Texnologiya

Oddiy Qo'llanish sohaları

  • Avtomobil sanoatida qo'llanmalar
  • Gibrid va elektr transport vositalari
  • Motorli harakatlantiruvchi inverter

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман CN

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

600

A

Ман C

Kollektor oqimi @ T F = 85 O C

450

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

1200

A

P D

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 O C T J = 175 O C

970

W

Diod

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori voltada GE

1200

V

Ман ФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

600

A

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

450

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

1200

A

Modul

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men

-40 dan +150 gacha

+150 dan +175 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

D Yovuzlik

Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga

9.0 9.0

mm

D aniq

Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga

4.5 4.5

mm

IGBT

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман CN

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

600

A

Ман C

Kollektor oqimi @ T F = 85 O C

450

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

1200

A

P D

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 O C T J = 175 O C

970

W

Diod

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori voltada GE

1200

V

Ман ФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

600

A

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

450

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

1200

A

Modul

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men

-40 dan +150 gacha

+150 dan +175 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

D Yovuzlik

Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga

9.0 9.0

mm

D aniq

Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga

4.5 4.5

mm

IGBT Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 450A,V GE =15V, T J =25 O C

1.40

V

Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 150 O C

1.65

Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 175 O C

1.70

Ман C = 600A,V GE =15V, T J =25 O C

1.60

Ман C = 600A,V GE =15V, T J = 150 O C

1.90

Ман C = 600A,V GE =15V, T J = 175 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

6.4

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.67

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

81.2

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

1.56

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.53

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V CE = 600V,I C = 600A, V GE =-8... +15V

5.34

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L s = 22nH,

V GE =-8V/+15V, T J =25 O C

290

ns

T R

O'sish vaqti

81

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

895

ns

T F

Pasayish vaqti

87

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

53.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

47.5

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L s = 22nH,

V GE =-8V/+15V, T J = 150 O C

322

ns

T R

O'sish vaqti

103

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1017

ns

T F

Pasayish vaqti

171

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

84.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

63.7

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L s = 22nH,

V GE =-8V/+15V, T J = 175 O C

334

ns

T R

O'sish vaqti

104

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1048

ns

T F

Pasayish vaqti

187

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

89.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

65.4

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤6μs, V GE =15V,

T J = 175 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2000

A

Diod Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 450A,V GE =0V,T J =25 O C

1.80

V

Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 1 50O C

1.75

Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 1 75O C

1.70

Ман F = 600A,V GE =0V,T J =25 O C

1.95

Ман F = 600A,V GE =0V,T J = 1 50O C

1.95

Ман F = 600A,V GE =0V,T J = 1 75O C

1.90

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 600A,

-di/dt=7040A/μs,V GE = 8V L s = 22 nH ,T J =25 O C

22.5

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

304

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

10.8

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5790A/μs,V GE = 8V L s = 22 nH ,T J = 150 O C

46.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

336

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

18.2

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5520A/μs,V GE = 8V L s = 22 nH ,T J = 175 O C

49.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

346

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

19.8

mJ

NTC Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

8

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.75

P

V/ t=10.0 dm 3/Min ,T F =75 O C

64

mbar

P

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

2.5

ta

R thJF

Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) V/ t=10.0 dm 3/Min ,T F =75 O C

0.103 0.140

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

g

Og'irlik из Modul

750

g

Koʻrinish

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

QO'ShMA mahsuloti

Mahsulotlar haqida savollaringiz bormi?

Bizning professional savdo jamoamiz sizning maslahatlaringizni kutmoqda.
Ularning mahsulot ro'yxatini kuzatishingiz va sizni qiziqtirgan har qanday savollarni berishingiz mumkin.

Taklif oling

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000