IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD600CUL120C3S GD600CLL120C3S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

1050

600

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

1200

A

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

600

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

1200

A

P D

Maksimal quvvat J = 1 75°C

4.05

кВт

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

O'rnatish Момент

Signal terminalning viski:M4

1.8 gacha 2.1

Kuch terminalining viski:M8

8.0 dan 10

N.M

O'rnatish viski:M6

4.25 dan 5.75 gacha

Og'irlik

vaznining Modul

1500

g

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 24 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 600A,V GE =15V, T J =25 °C

1.90

2.35

V

Ман C = 600A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.10

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A, R g =1,9Ω,

V GE =±15V, T J =25 °C

170

ns

T R

O'sish vaqti

90

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

450

ns

T F

Pasayish vaqti

70

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

74.4

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

36.0

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A, R g =1,9Ω,

V GE =±15V, T J = 125°C

180

ns

T R

O'sish vaqti

100

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

520

ns

T F

Pasayish vaqti

90

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

99.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

60.0

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

44.2

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

3.20

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

2.08

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T J = 125 °C, V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

2800

A

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.6

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.18

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 600A

T J =25 °C

1.80

2.20

V

T J = 125 °C

1.85

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F = 600A,

V R = 600 V,

R g =1,9Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

80

μC

T J = 125 °C

152

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

520

A

T J = 125 °C

680

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

28.8

mJ

T J = 125 °C

60.0

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

37.0

K/kW

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

64.0

K/kW

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)

6

K/kW