IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD450HTT120C7S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi @ T J =25 °C

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

650

450

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

900

A

P tot

Umumiy quvvat yo'qotilishi @ T J = 175 °C

2155

W

T SC

Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ T J = 150 °C

10

μs

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR) CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE =V CES V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE =V GES V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE(th)

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 18,0 mA,V CE =V GE , T J =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 450A,V GE =15V, T J =25 °C

1.70

2.15

V

Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 125 °C

1.90

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

V CC = 600V,I C = 450A, R g = 1,6Ω,V GE = ± 15V, T J =25 °C

23.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

31.0

mJ

E tot

Jami Oʻzgaruvchan yoʻqotish

54.0

mJ

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

V CC = 600V,I C = 450A, R g = 1,6Ω,V GE = ± 15V, T J = 125 °C

36.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

48.0

mJ

E tot

Jami Oʻzgaruvchan yoʻqotish

84.0

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 450A,V GE =0V

T J =25 °C

1.65

2.15

V

T J = 125 °C

1.65

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

Ман F = 450A,

V R = 600 V,

di/dt=-5200A/μs, V GE = 15V

T J =25 °C

45.1

ns

T J = 125 °C

84.6

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

316

A

T J = 125 °C

404

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

21.1

mJ

T J = 125 °C

38.9

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

ΔR/R

Og'ish из R 100

T C =100 °C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuchni yoʻq qilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp[B 25/50 (1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC + EE ’

Modulning oʻzidan saqlanishi Chippga terminal @ T C =25 °C

1.1

M Ω

R θJC

Junction -ga -Vazifa (perIGBT )

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.058

0.102

K/W

R θCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' koʻrsatilgan)

0.005

K/W

T J

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40

125

°C

O'rnatish

Момент

Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M5

3.0

6.0

N.M

O'rnatish Varaq:M6

3.0

6.0

N.M

Og'irlik

vaznining Modul

910

g