IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD450HTL120C7S

Birliklar

V CES

Kollektor-Emiter Kuchligi @ T J =25 °C

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

900

450

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

900

A

P tot

Jami quvvat yo'qotilishi @ T J = 175°C

3191

W

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 18,0 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 450A,V GE =15V, T J =25 °C

2.00

2.45

V

Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 125°C

2.20

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

4.6

μC

E включено

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

V CC = 600V,I C = 450A, R g = 2,3Ω,V GE = ± 15V, T J =25 °C

48

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

28

mJ

E tot

Jami Oʻzgaruvchan yoʻqotish

76

mJ

E включено

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

V CC = 600V,I C = 450A, R g = 2,3Ω,V GE = ± 15V, T J = 125°C

66

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

45

mJ

E tot

Jami Oʻzgaruvchan yoʻqotish

111

mJ

D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g = 2,3Ω,V GE = ± 15 V, T J =25 °C

205

ns

T R

O'sish vaqti

70

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

465

ns

T F

Pasayish vaqti

50

ns

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g = 2,3Ω,V GE = ± 15 V, T J = 125°C

225

ns

T R

O'sish vaqti

70

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

520

ns

T F

Pasayish vaqti

75

ns

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

31.8

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

2.13

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.41

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T s C ≤ 10 μs, V GE ≤ 15 V, T J = 125°C V CC = 600 V, V MET ≤ 1200V

2250

A

R Gint

Ichki Darvozali Qarshilik tansiq

0.7

Ω

Simvol

Tavsif

GD450HTL120C7S

Birliklar

V RRM

Kollektor-Emiter Kuchligi @ T J =25 °C

1200

V

Ман F

DC Oldinga Oqim @ T C =80 °C

450

A

Ман FRM

Takroriy Pik Oldinga Oqim t P = 1 ms

900

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 450A, V GE =0V

T J =25 °C

1.80

2.20

V

T J = 125°C

1.90

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600 V,

Ман F = 450A,

R g =2.3Ω,

V GE =- 15V

T J =25 °C

58

μC

T J = 125°C

99

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

372

A

T J = 125°C

492

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

22

mJ

T J = 125°C

45

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C = 100°C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuchni yoʻq qilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp[B 25/50 (1/T 2- 1/(298.1 5K))]

3375

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC + EE ’

Modul O'tkazuvchan Qarshilik,Terminaldan Chipgacha @ T C =25 °C

1.1

M Ω

R θ JC

Jons-to-Case (IG boʻyicha) BT)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.047

0.078

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' koʻrsatilgan)

0.005

K/W

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40

125

°C

O'rnatish

Момент

Kuch terminalining viski:M5

3.0

6.0

N.M

O'rnatish Varaq:M6

3.0

6.0

N.M

Og'irlik

Og'irlik из Modul

910

g