IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

680

450

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

900

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

2173

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

450

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

900

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 450A,V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.95

Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 11.3 mA,V CE =V GE ,T J =25 O C

5.2

5.8

6.4

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.7

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

46.6

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.31

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

3.50

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g = 1,3Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

203

ns

T R

O'sish vaqti

64

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

491

ns

T F

Pasayish vaqti

79

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

16.1

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

38.0

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g = 1,3Ω,

V GE =±15V, T J = 125O C

235

ns

T R

O'sish vaqti

75

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

581

ns

T F

Pasayish vaqti

109

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

27.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

55.5

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g = 1,3Ω,

V GE =±15V, T J = 150O C

235

ns

T R

O'sish vaqti

75

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

621

ns

T F

Pasayish vaqti

119

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

30.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

61.5

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 450A,V GE =0V,T J =25 O C

1.65

2.10

V

Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 125O C

1.65

Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 150O C

1.65

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T J =25 O C

46

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

428

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

25.2

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T J = 125O C

87

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

523

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

46.1

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T J = 150O C

100

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

546

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

52.3

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

ΔR/R

Og'ish из R 100

T C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

1.10

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.069

0.108

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Korpusdan Isitgichga (pe r Diode)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.030 0.046 0.009

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

350

g