IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

656

450

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

900

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

2054

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

450

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

900

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 450A,V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.95

Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 18,0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.7

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

46.6

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.31

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

3.50

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g =1.5Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

328

ns

T R

O'sish vaqti

76

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

539

ns

T F

Pasayish vaqti

108

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

19.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

46.6

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g =1.5Ω,

V GE =±15V, T J = 125 O C

376

ns

T R

O'sish vaqti

86

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

595

ns

T F

Pasayish vaqti

214

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

36.3

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

53.5

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g =1.5Ω,

V GE =±15V, T J = 150 O C

380

ns

T R

O'sish vaqti

89

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

608

ns

T F

Pasayish vaqti

232

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

41.7

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

55.5

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 450A,V GE =0V,T J =25 O C

1.90

2.35

V

Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 1 25O C

2.00

Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 1 50O C

2.05

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, T J =25 O C

55.2

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

518

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

26.0

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, T J = 125 O C

106

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

633

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

47.5

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15V, T J = 150 O C

121

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

661

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

53.9

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.35

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.073

0.128

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Korpusdan Isitgichga (pe r Diode)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g