IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD400SGT120C2S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

680

400

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

800

A

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

@ T C =80 °C

400

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

800

A

P D

Maksimal quvvat J = 1 75°C

2419

W

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

O'rnatish Момент

Quvvat terminali vint:M4

Kuch terminalining viski:M6

1.1 gacha 2.0

2,5 gacha 5.0

N.M

O'rnatish viski:M6

3,0 dan 5.0

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16.0 mA,V CE =V GE , T J =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 °C

1.70

2.05

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.00

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 1.8Ω,

V GE =±15V, T J =25 °C

251

ns

T R

O'sish vaqti

89

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

555

ns

T F

Pasayish vaqti

128

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

23.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

39.5

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 1.8Ω,

V GE =±15V, T J = 125 °C

302

ns

T R

O'sish vaqti

101

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

650

ns

T F

Pasayish vaqti

179

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

33.1

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

58.9

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

28.8

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

1.51

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.31

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T J = 125 °C, V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1600

A

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.9

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.18

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A

T J =25 °C

1.65

2.10

V

T J = 125 °C

1.65

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F = 400A,

V R = 600 V,

R g = 1.8Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

39.8

μC

T J = 125 °C

75.1

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

275

A

T J = 125 °C

362

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

18.0

mJ

T J = 125 °C

34.1

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

0.067

K/W

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.124

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)

0.035

K/W

Og'irlik

Og'irlik Modul

300

g