IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD400SGK120C2S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

Simvol

Tavsif

GD400SGK120C2S

Birliklar

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20V

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

550

A

400

Ман CM(1)

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

800

A

Ман F

Diodli doimiy oldingi oqim n

400

A

Ман Fm

Diodning maksimal oldingi oqimi n

800

A

P D

Maksimal quvvat @ T J = 150 °C

2500

W

T SC

Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ T J = 1 25°C

10

μs

T J

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125

°C

Ман 2t-qimmat, diod

V R =0V, t=10ms, T J = 125 °C

27500

A 2s

V ISO

Izolatsiya kuchlanmasi RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

O'rnatish

Момент

Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M4

Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M6

1.1 gacha 2.0

2,5 gacha 5.0

N.M

O'rnatish Varaq:M6

3,0 dan 6.0

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

BV CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE =V CES V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE =V GES V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE(th)

Darvoza emittor

Chiziqli kuchlanishni

Ман C = 5,0 mA, V CE =V GE ,

T J =25 °C

4.5

5.1

5.5

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE = 15V,T J =25 °C

2.2

V

Ман C = 400A,V GE =15V,

T J = 125 °C

2.5

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T d ((on)

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A,

258

ns

T R

O'sish vaqti

R g = 3,3Ω, V GE = ± 15V,

110

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

T J = 25 °C

285

ns

T F

Pasayish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A,

R g = 3,3Ω, V GE = ± 15V, T J = 25 °C

70

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

45

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

26

mJ

T d ((on)

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A,

R g = 3,3Ω, V GE = ± 15V, T J = 125°C

260

ns

T R

O'sish vaqti

120

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

300

ns

T F

Pasayish vaqti

80

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

60

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

40

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1,0MHz,

V GE =0V

74.7

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

3.3

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.64

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T s C ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 125 °C , V CC = 900V,

V MET ≤ 1200V

2400

A

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

16

nH

R CC + EE ’

Modulning oʻrni

qarshilik, Terminal ga CHIP

T C =25 °C

0.50

M Ω

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A

T J =25 °C

2.0

2.3

V

T J = 125 °C

2.2

2.5

Q R

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Ман F = 400A,

V R = 600 V,

di/dt=-4100A/μs, V GE = 15V

T J =25 °C

31

μC

T J = 125 °C

66

Ман RM

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanish Jorov

T J =25 °C

300

A

T J = 125 °C

410

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

12

mJ

T J = 125 °C

28

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θJC

Birlashma-kassa (IGBT qismi, har 1/2 Modul)

0.05

K/W

R θJC

Birlashma (diod qismlari, har 1/2 Modul)

0.08

K/W

R θCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' koʻrsatilgan)

0.035

K/W

Og'irlik

vaznining Modul

340

g