IGBT Modul 1200V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16.0 mA,V CE =V GE , T J =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 °C

1.70

2.15

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.00

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 150 °C

2.10

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 1.8Ω,

V GE =±15V, T J =25 °C

250

ns

T R

O'sish vaqti

39

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

500

ns

T F

Pasayish vaqti

100

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

17.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

42.0

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 1.8Ω,

V GE =±15V, T J = 125°C

299

ns

T R

O'sish vaqti

46

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

605

ns

T F

Pasayish vaqti

155

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

25.1

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

61.9

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 1.8Ω,

V GE =±15V, T J = 150°C

320

ns

T R

O'sish vaqti

52

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

625

ns

T F

Pasayish vaqti

180

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

30.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

66.8

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

28.8

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

1.51

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.31

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T J = 125 °C, V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1600

A

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.9

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.35

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A,

V GE =0V

T J =25 °C

1.65

2.15

V

T J = 125 °C

1.65

T J = 150 °C

1.65

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

Ман F = 400A,

V R = 600 V,

R g = 1.8Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

44

μC

T J = 125 °C

78

T J = 150 °C

90

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

490

A

T J = 125 °C

555

T J = 150 °C

565

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

19.0

mJ

T J = 125 °C

35.1

T J = 150 °C

38.8

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

0.059

K/W

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.106

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)

0.035

K/W