IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD400HFL120C2S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

730

400

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

800

A

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

400

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

800

A

P D

Maksimal quvvat J = 1 75°C

2778

W

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

O'rnatish Момент

Kuch terminalining viski:M6

O'rnatish viski:M6

2,5 gacha 5.0

3,0 dan 5.0

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16.0 mA,V CE =V GE , T J =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 °C

1.90

2.35

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.10

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g =4. 1Ω,

V GE =±15V, T J =25 °C

910

ns

T R

O'sish vaqti

200

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

848

ns

T F

Pasayish vaqti

110

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

33.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

39.5

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g =4. 1Ω,

V GE =±15V, T J = 125 °C

1047

ns

T R

O'sish vaqti

201

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

998

ns

T F

Pasayish vaqti

150

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

46.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

57.6

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

29.7

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

2.08

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.36

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T J = 125 °C, V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1800

A

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.5

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

18

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.32

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A

T J =25 °C

1.80

2.20

V

T J = 125 °C

1.85

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F = 400A,

V R = 600 V,

R g =4. 1Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

26

μC

T J = 125 °C

49

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

212

A

T J = 125 °C

281

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

23.4

mJ

T J = 125 °C

33.8

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

0.054

K/W

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.093

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)

0.032

K/W

Og'irlik

Og'irlik Modul

350

g