IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD400HFL120C2SN

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

650

A

400

Ман CM(1)

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

800

A

Ман F

Diod doimiy oldinga oqim @ T C =80 °C

400

A

Ман Fm

Diodning maksimal oldingi oqimi n

800

A

P D

Maksimal quvvat @ T J = 150 °C

2450

W

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125

°C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

O'rnatish

Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M6

2,5 gacha 5.0

N.M

Момент

O'rnatish Varaq:M6

3,0 dan 5.0

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR) CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE =V CES V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE =V GES V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE(th)

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16 mA, V CE =V GE , T J =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 °C

1.90

2.35

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.10

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T d ((on)

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g =4.1Ω,V GE = ± 15V, T J =25 °C

910

ns

T R

O'sish vaqti

200

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

848

ns

T F

Pasayish vaqti

110

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

33.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

39.5

mJ

T d ((on)

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g =4.1Ω,V GE = ± 15V, T J = 125 °C

1047

ns

T R

O'sish vaqti

201

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

998

ns

T F

Pasayish vaqti

150

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

46.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

57.6

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

29.7

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

2.08

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.36

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T s C ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J =25 °C V CC = 600 V,

V MET ≤ 1200V

1800

A

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.5

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC + EE ’

Modulning oʻzlashtirilishi nce, Chiptani terminalga oʻtkazish

T C =25 °C

0.35

M Ω

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A

T J =25 °C

1.80

2.40

V

T J = 125 °C

1.85

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

Ман F = 400A,

V R = 600 V,

di/dt=-2680A/μs, V GE = 15V

T J =25 °C

26

μC

T J = 125 °C

49

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

212

A

T J = 125 °C

281

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

13.4

mJ

T J = 125 °C

23.8

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θJC

Junction -ga -Vazifa (perIGBT )

0.051

K/W

R θJC

Birlashma-kassa (har Diod)

0.072

K/W

R θCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' qoʻllanilgan)

0.035

K/W

Og'irlik

vaznining Modul

300

g