IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

630

400

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

800

A

P D

Maksimal quvvat = 175 O C

2083

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

400

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

800

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.95

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 10.0mA,V CE =V GE , T J =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.9

Ω

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2.0Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

257

ns

T R

O'sish vaqti

96

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

628

ns

T F

Pasayish vaqti

103

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

23.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

34.0

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2.0Ω,

V GE =±15V, T J = 125O C

268

ns

T R

O'sish vaqti

107

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

659

ns

T F

Pasayish vaqti

144

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

35.3

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

51.5

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2.0Ω,

V GE =±15V, T J = 150O C

278

ns

T R

O'sish vaqti

118

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

680

ns

T F

Pasayish vaqti

155

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

38.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

56.7

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A,V GE =0V,T J =25 O C

1.65

2.10

V

Ман F = 400A,V GE =0V,T J = 125O C

1.65

Ман F = 400A,V GE =0V,T J = 150O C

1.65

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T J =25 O C

38.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

285

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

19

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T J = 125O C

66.5

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

380

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

36.6

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T J = 150O C

76.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

399

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

41.8

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻzlashtirilishi nce, terminaldan chipga

0.35

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.072

0.095

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.035

0.046

0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g