IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

483

300

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

600

A

P D

Maksimal quvvat = 175 O C

1612

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

300

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

600

A

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

650

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C = 60 O C

372

300

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

600

A

P D

Maksimal quvvat = 175 O C

920

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

650

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

300

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

600

A

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 300A,V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.95

Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 7,50 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.5

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

21.0

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.20

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

2.60

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 300A, R g = 1,3Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

182

ns

T R

O'sish vaqti

54

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

464

ns

T F

Pasayish vaqti

72

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

10.6

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

25.8

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 300A, R g = 1,3Ω,

V GE =±15V, T J = 125O C

193

ns

T R

O'sish vaqti

54

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

577

ns

T F

Pasayish vaqti

113

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

16.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

38.6

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 300A, R g = 1,3Ω,

V GE =±15V, T J = 150O C

203

ns

T R

O'sish vaqti

54

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

618

ns

T F

Pasayish vaqti

124

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

18.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

43.3

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 300A,V GE =0V,T J =25 O C

1.65

2.10

V

Ман C = 300A,V GE =0V,T J = 125 O C

1.65

Ман C = 300A,V GE =0V,T J = 150 O C

1.65

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15V, T J =25 O C

29

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

318

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

18.1

mJ

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15V, T J = 125O C

55

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

371

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

28.0

mJ

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15V, T J = 150O C

64

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

390

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

32.8

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 300A,V GE =15V, T J =25 O C

1.45

1.90

V

Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.60

Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 150 O C

1.70

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 4,8 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.1

5.8

6.5

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.0

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

17.1

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.51

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 ﹍+15V

2.88

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 300 V,I C = 300A, R g = 2,4Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

88

ns

T R

O'sish vaqti

40

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

294

ns

T F

Pasayish vaqti

43

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

1.34

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

8.60

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 300 V,I C = 300A, R g = 2,4Ω,

V GE =±15V, T J = 125 O C

96

ns

T R

O'sish vaqti

48

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

312

ns

T F

Pasayish vaqti

60

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

1.86

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

10.8

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 300 V,I C = 300A, R g = 2,4Ω,

V GE =±15V, T J = 150 O C

104

ns

T R

O'sish vaqti

48

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

318

ns

T F

Pasayish vaqti

60

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

1.98

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

11.3

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤6μs, V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 360 V, V MET ≤ 650V

1500

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 300A,V GE =0V,T J =25 O C

1.55

1.95

V

Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 125 O C

1.50

Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 150 O C

1.45

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 300 V,I F = 300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE = 15V T J =25 O C

14.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

209

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

3.74

mJ

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 300 V,I F = 300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE = 15V T J = 125 O C

26.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

259

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

6.82

mJ

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 300 V,I F = 300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE = 15V T J = 150 O C

30.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

275

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

7.70

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

R tJC

T1 uchun junction-to-Case ( T2 IGBT)

Qoplamaga bog'lanish (D1,D2 Dio uchun) de)

T3 uchun junction-to-case ( T4 IGBT)

Qoplamaga bog'lanish (D3,D4 Dio uchun) de)

0.093

0.158

0.163

0.299

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har T1,T2 IGBT)

Issiqlik sinkiga bo'lgan bo'shliq (har D1,D2 uchun) Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har T3,T4 IGBT)

Issiqlik sinkiga bo'lgan qolip (har D3,D4 uchun) Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

340

g